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公开(公告)号：CN118866825A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411193007.X
申请日：2024-08-28
IPC分类号： H01L23/10 , H01L23/367 , H01L23/495 , H01L21/48
摘要： 本发明提供的一种双面散热气密性封装结构及其制作工艺，包括芯片、漏极电极、栅极电极、源极电极；所述芯片固定在导电盖板内顶部，所述漏极电极固定在陶瓷框架的底端边缘，漏极电极和栅极电极固定在陶瓷框架底端且分别与栅极连接柱和源极连接柱连接，通过将盖板作为漏极电极的连接件，使芯片上下两面都直接与导电导热良好的材料接触，由两面电极向外散热，加快了芯片的散热效率；而所有电极则全部位于底部，方便贴片使用；底部各电极之间采用陶瓷隔开，而陶瓷框架相比塑料框架具有更高的可靠性；上盖纵向顶部与底部电极通过软焊料连接，并使得整个内部具有很好的空间密封性能。
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公开(公告)号：CN118748177A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202411032198.1
申请日：2024-07-30
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/498 , H01L23/31
摘要： 本发明提供了一种顶部散热的陶瓷表贴封装结构，包括陶瓷顶板；所述陶瓷顶板的下端面一端设有金属层,金属层上安装有芯片，另一端设有源极引出电极、栅极引出电极和源极外电极、栅极外电极，所述源极引出电极和源极外电极及栅极引出电极和栅极外电极之间通过源极电极板连接。本发明将陶瓷板作为封装的顶部，并在仅芯片的每极电极引到盖板及盖板旁，使得用户在使用时可以不改变使用习惯，继续使用底部电极与PCB贴片焊接的方式使用封装后的芯片；并且因为芯片贴合在封装的顶部，实现了电连接与散热路径的分离，并且缩短了散热路径，降低了热阻；散热主路径不经过PCB，不会导致PCB的温升，进而不会因功率器件发热而导致PCB上其他器件的温升。
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公开(公告)号：CN113193050A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110460679.2
申请日：2021-04-27
IPC分类号： H01L29/861 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/329 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要： 本发明提供了一种表贴封装二极管及其制造方法，该表贴二极管包括管芯，所述管芯的上端面设有上电极片，管芯的下端面设有下电极片，管芯与上电极片、下电极片之间通过蒸铝层烧焊在一起，管芯、上电极片、下电极片的侧面包覆有钝化玻璃，下电极片的下端凸出钝化玻璃，上电极片的上端设有变形电极片。本发明安装使用时，管芯、上电极片、下电极片与安装PCB板面平行，加大管芯与电极片尺寸即可加大产品的功率，其高度不会增加；下电极片整个面直接与散热器或PCB板接触，散热效果得到了大大改善；根据需要，器件结构可设为圆柱形、方形等任意形状，且径向尺寸小；安装适应性好。
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公开(公告)号：CN104795335A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510193603.2
申请日：2015-04-22
IPC分类号： H01L21/50
摘要： 本发明公开了一种高可靠玻璃钝化高压硅堆的制造方法,包括以下步骤：a、将若干个管芯采用台面成型机吹砂成型规定尺寸的圆片，b、将所述管芯分极处理后，采用石墨模具叠片烧结的方式将所述管芯进行烧结形成芯片，c、将含有钨电极的电极引线焊接在所述芯片的两端，d、采用混合酸对所述芯片的台面进行腐蚀，腐蚀两次，每次3分钟，然后用大量去离子水冲洗干净，e、在所述芯片的台面上涂覆钝化封装玻璃粉浆，在链式炉下高温成型，完成封装成型。本发明采用钨电极引线制造高压硅堆，提高了产品的抗浪涌电流能力，同时采用钨电极引线制造的高压硅堆可靠性明显提高。
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公开(公告)号：CN118866862A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411201352.3
申请日：2024-08-29
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/49
摘要： 本发明提供了一种陶瓷贴片封装理想二极管，包括管座；所述管座的端面上加工有凹槽，凹槽内加工有三个通孔，三个通孔内分别固定有两端均突出管座两端面的接地电极、输入电极、输出电极，所述输出电极上安装有控制芯片和MOS芯片；本发明通过使用氧化铝化银底板作为控制芯片的承载部件，将MOS管和控制芯片集成在一个封装内，实现了具有功率输入、功率输出和公共地三个端口的肖特基二极管的替代，相比于肖特基二极管和现有的二极管控制器的方案，在能够在降低导通损耗的同时，进一步降低系统或PCB面积，达到更高的功率密度。
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公开(公告)号：CN117711936A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311731208.6
申请日：2023-12-15
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/861
摘要： 本发明提供了一种冶金键合二极管及其制造方法，通过优化工艺流程和凸点结构，使金属凸点生长在钝化层中央，并且电镀后不需要再刻蚀金属种子层。比起现有技术，种子层刻蚀后再用光刻胶作为掩蔽层，从晶圆背面施加电镀电流，二极管处于导通状态，金属凸点将生长在正面种子层中间，正面种子层充当了金属凸点和钝化层之间的缓冲层，避免了封装过程中应力导致的钝化层损伤；并且，电镀工艺后，只需去胶即可，不需要再进行种子层金属刻蚀，减少了金属凸点侧刻问题，在后续高温烧焊后高温退火中，正面种子层可以防止金属向硅中扩散。
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公开(公告)号：CN113161269A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110523987.5
申请日：2021-05-13
摘要： 本发明公开了一种U型玻钝表贴器件烧结夹具及使用方法，属于U型封装二极管制造技术领域。该烧结夹具包括底板，所述底板上并排设有若干限位槽，所述限位槽内放置有两块引线定位块，所述引线定位块上设有引线定位槽。限位槽的宽度按照尺寸最大原则进行设计，一是使烧结夹具适用于夹持市面上所有不同尺寸的U型玻钝二极管，适用范围广，有助于降低烧结夹具和二极管的制造成本，二是为烧结夹具的热膨胀预留足够间隙，避免U型玻钝二极管管体因夹具热膨胀出现裂纹。能够避免烧结得到的产品出现管体到两端电极片的距离差异大、电极片相对管体歪斜、管体与电极片之间存在较大缝隙等情况，大大提高了U型玻钝二极管的烧结合格率。
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公开(公告)号：CN110676182A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910912298.6
申请日：2019-09-25
摘要： 本发明公开的一种芯片组件的封装方法，属于瞬态电压抑制二极管技术领域，包括如下步骤，步骤1备芯：将一颗整流二极管芯A和一颗单向芯片组件的芯片背向串联放置，取一颗整流二极管芯B放置；步骤2纯化处理：第一次腐蚀清洗、第二次腐蚀清洗、涂粉、烧结；步骤3塑化封装：将均纯化后串联的整流二极管芯A和单向芯片组件的芯与整流二极管芯B并联，将产品放入模具注入环氧树脂，加热至160℃～162℃固化成型，取出冷却至常温；纯化处理得到的玻璃封装层，使得产品具备抵抗高温环境的特性，采用环氧树脂塑化封装得到的封装层，使得产品具备抵抗高温环境的特性下具备了抵抗环境冲击的特性。
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公开(公告)号：CN106024625B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201610584312.0
申请日：2016-07-23
IPC分类号： H01L21/329
摘要： 本发明提供的一种高可靠抗辐照玻璃钝化电压调整二极管制造方法，采用钼或钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，芯片采用深结扩散工艺，台面造型为正斜角造型，该芯片结构降低表面电场，同时在进行玻璃钝化封装前，采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护，然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型；本发明芯片成正斜角，降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的雪崩击穿性能，提升产品的可靠性；由于钝化层较厚，同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。
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公开(公告)号：CN107993967A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711404625.4
申请日：2017-12-22
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种半导体器件的多功能腐蚀装置，包括提手、篮架、酸洗盘、支架；所述支架安装在支架内，所述支架安装在篮架内，所述提手安装在篮架的上端，所述酸洗盘在支架内上下水平布置有若干排。本发明将酸、碱腐蚀工艺在一个腐蚀盘内进行，大大简化了酸碱腐蚀过程中产品的流转，其设计满足了酸腐蚀工艺中喷淋清洗工艺的需求，同时满足了碱腐蚀过程中提挂式的腐蚀清洗要求，该腐蚀盘同时满足两种生产工艺。同时腐蚀盘的设计与后续涂覆的设备兼容，大大简化了后续产品的流转方式，该发明提高了生产效率，具有较高的市场推广价值。
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