发明授权
- 专利标题： 一种监测晶片生长薄膜特性的装置
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申请号： CN201410035799.8申请日： 2014-01-24
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公开(公告)号： CN104807754B公开(公告)日： 2017-09-29
- 发明人: 马铁中 , 严冬 , 刘健鹏 , 王林梓
- 申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
- 申请人地址： 北京市昌平区昌平路97号新元科技园B座503室
- 专利权人： 北京智朗芯光科技有限公司
- 当前专利权人： 昂坤视觉(北京)科技有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区昌平路97号新元科技园B座503室
- 代理机构： 北京华沛德权律师事务所
- 代理商 刘杰
- 主分类号： G01N21/17
- IPC分类号： G01N21/17 ; G01J5/00 ; G01L1/24
摘要：
本发明公开了一种监测晶片生长薄膜特性的装置，属于半导体材料无损检测领域。该装置包括反射率运算模块、温度运算模块和应力运算模块。该装置能够集成实现待测晶片反射率、温度和应力三个特性参数的监测。
公开/授权文献
- CN104807754A 一种监测晶片生长薄膜特性的装置 公开/授权日：2015-07-29