本发明介绍了一种基于氧等离子体工艺的纳米介质层的制备方法；利用电子束曝光技术，在基底金属层薄膜上打开一个正方形掩膜窗口。利用氧等离子体氧化方法对掩膜窗口处暴露的基底金属层薄膜进行氧化，具体工艺条件为：利用氧等离子体，在0.3～0.7Torr真空下，10～50sccm氧气流量，60～140watt功率刻蚀1～5min。丁酮试剂中经过加热、超声，完成掩膜剥离。表征结果显示，基于氧等离子体工艺的纳米介质层的制备方法可成功制备具有一定氧化比例和一定厚度的介质层薄膜。本发明采用一步法在基底金属层表面原位氧化生成介质层，制备工艺简单，无需添加材料，界面共格性好、缺陷少，有望广泛应用于科研与生产。