一种空间碎片的电场探测方法

    公开(公告)号:CN112415607A

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN201910793231.5

    申请日:2019-08-23

    IPC分类号: G01V3/08

    摘要: 本发明提出了一种空间碎片的电场探测方法,该方法通过感应空间碎片运动时引起的电荷大小进行探测,其特征在于:将6个探测极板安装至卫星外表面,6个探测极板分别与6个电荷传感器相连,计算电荷传感器的输出信号大小,并与电荷传感器的短路噪声进行比较,从而确定最大安全反应距离,并给出相应的警示信号和极板编号。本发明具有克服光线影响、空间辐射影响、探测系统温度影响的显著优点。

    一种半功率角外波瓣快速跌落的矩形波束赋形天线

    公开(公告)号:CN107230845B

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201710322793.2

    申请日:2017-05-09

    IPC分类号: H01Q21/24 H01Q3/28 H01Q3/30

    摘要: 本发明提供一种半功率角外波瓣快速跌落的矩形波束赋形天线,包括三组子阵列,三组子阵列的排布方式为:以N×N子阵列A组为中心,在A组子阵列的上、下、左、右分别增加N个阵元构成B组子阵列,再在B组子阵列的上、下、左、右分别外扩不多于N个阵元构成C组子阵列,其中N≥1;同一组子阵列中阵元的激励幅度相同,且A组子阵列中阵元的激励幅度最大;A组和B组子阵列中阵元的相位相同,C组子阵列中阵元的相位与其它组阵元相差180°。该赋形天线采用了较少的阵元数量,实现了矩形波束半功率角外波瓣快速跌落。

    一种基于磁控溅射工艺的纳米介质层制备方法

    公开(公告)号:CN104878355B

    公开(公告)日:2017-04-05

    申请号:CN201510219988.5

    申请日:2015-04-30

    IPC分类号: C23C14/35 C23C14/04

    摘要: 一种基于磁控溅射工艺的纳米介质层制备方法,在衬底上旋涂正胶,利用电子束曝光技术,制作一个正方形掩膜窗口。利用磁控溅射镀膜技术在掩膜窗口内,在额定的背底真空条件下,以80~150watt的功率,0~5sccm的氧气流量,30~100sccm的氩气流量,的速度溅射制备金属氧化物薄膜。并利用丁酮试剂经过加热、超声,完成剥离。测试结果表明,采用此发明可获得表面粗糙度为1nm,厚度范围为3~10nm,氧钛比可调控范围为1.40~1.93,含三种价态钛。本发明可实现对纳米介质层面积、表面粗糙度、厚度、氧化程度的调控,为进一步制备性能优异的金属‑介质‑金属型整流器提供关键材料。

    一种基于氧等离子体工艺的纳米介质层制备方法

    公开(公告)号:CN104882378A

    公开(公告)日:2015-09-02

    申请号:CN201510164377.5

    申请日:2015-04-09

    IPC分类号: H01L21/329 H01L21/02

    摘要: 本发明介绍了一种基于氧等离子体工艺的纳米介质层的制备方法;利用电子束曝光技术,在基底金属层薄膜上打开一个正方形掩膜窗口。利用氧等离子体氧化方法对掩膜窗口处暴露的基底金属层薄膜进行氧化,具体工艺条件为:利用氧等离子体,在0.3~0.7Torr真空下,10~50sccm氧气流量,60~140watt功率刻蚀1~5min。丁酮试剂中经过加热、超声,完成掩膜剥离。表征结果显示,基于氧等离子体工艺的纳米介质层的制备方法可成功制备具有一定氧化比例和一定厚度的介质层薄膜。本发明采用一步法在基底金属层表面原位氧化生成介质层,制备工艺简单,无需添加材料,界面共格性好、缺陷少,有望广泛应用于科研与生产。

    一种地球同步轨道SAR卫星三阶多普勒参数计算方法

    公开(公告)号:CN112462339B

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202011053190.5

    申请日:2020-09-29

    IPC分类号: G01S7/40

    摘要: 本发明公开一种地球同步轨道SAR卫星三阶多普勒参数计算方法,一、根据星地几何关系模型,得到地球同步轨道SAR卫星的1‑4阶运动状态矢量:位置Rs、速度Vs、加速度As和加速度一阶微分A's;二、根据星地几何关系模型,得到SAR卫星波束中心瞄准点的1‑4阶运动状态矢量:位置Rt、速度Vt、加速度At和加速度一阶微分A't;三、基于步骤一和步骤二的结果,得到Geo‑SAR卫星的三阶多普勒参数;本发明方法得到的三阶多普勒参数可以极大提高卫星的高分辨率建模精度,降低卫星研制难度,带来很好的社会经济效益和军事效益。

    一种可提供稳定长短基线的四星Helix编队构型

    公开(公告)号:CN109085586B

    公开(公告)日:2020-12-11

    申请号:CN201810860789.6

    申请日:2018-08-01

    IPC分类号: G01S13/90

    摘要: 本发明公开了一种可提供稳定长短基线的四星Helix编队构型。使用本发明能够在一个轨道周期内提供稳定的垂直有效长基线和垂直有效短基线,从而可利用长短基线组合基线高精度干涉测高。本发明构型包括1颗主星和3颗辅星,主星轨道与各辅星轨道分别为满足Helix构型的双螺旋轨道;本发明构型在编队飞行过程中的任意时刻,主星都可以与其中一颗辅星之间形成最优垂直有效基线,满足最优基线取值范围指标,任意时刻都存在两颗辅星之间形成的有效长基线,从而在整个轨道周期内,任意时刻总是存在一组稳定的有效长基线和短基线,从而可利用长短基线组合基线高精度干涉测高。

    主星位于中心、辅星cartwheel编队的分布式SAR构型

    公开(公告)号:CN109031297A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201810861642.9

    申请日:2018-08-01

    IPC分类号: G01S13/90

    摘要: 本发明公开了一种主星位于中心、辅星cartwheel编队的分布式SAR构型。使用本发明能够形成稳定的垂直有效基线,且在一个轨道周期内的任意时刻均存在垂直有效长基线和最优垂直有效短基线,能够有效提高干涉测高精度,且能耗低。本发明包括一颗主星和多颗辅星,其中,主、辅星位于同一个轨道面上,辅星均匀分布在以主星为中心的Cartwheel椭圆轨迹上,并围绕主星沿所述Cartwheel椭圆轨迹飞行;该构型下,在整个轨道运行周期的任意时刻,均有由两颗辅星形成的有效垂直长基线和由主星和一颗辅星形成的最优垂直有效短基线,从而可以利用长、短基线进行最优的干涉信号处理,高效高质地获取测绘地区的高精度DEM,相对测高精度可以达到0.5m,可满足1:5000比例尺的测绘制图需求。

    一种基于热氧化工艺的纳米介质层制备方法

    公开(公告)号:CN104900485B

    公开(公告)日:2017-11-07

    申请号:CN201510164402.X

    申请日:2015-04-09

    IPC分类号: H01L21/02 B82Y30/00 B82Y40/00

    摘要: 本发明一种基于热氧化工艺的纳米介质层制备方法,属于微电子与固体电子学、纳米科学技术领域。利用电子束曝光技术,在基底金属层上打开一个正方形掩膜窗口。利用热氧化方法对掩膜窗口处暴露的基底金属层进行氧化,具体工艺条件为:置于烘箱150~200℃加热15~60min,丁酮试剂中经过加热、超声,完成掩膜剥离。表征结果显示,基于热氧化工艺的纳米介质层制备方法可成功制备具有一定氧化比例和一定厚度的介质层薄膜。本发明采用一步法在基底金属层表面原位氧化生成介质层,制备工艺简单,无需添加材料,界面共格性好、缺陷少,有望广泛应用于科研与生产。

    一种高轨SAR图像空变相位误差估计方法

    公开(公告)号:CN113805146B

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202110836910.3

    申请日:2021-07-23

    IPC分类号: G01S7/40 G01S13/90

    摘要: 本发明提出了一种高轨SAR图像空变相位误差估计方法,能够满足高轨SAR高分辨率、大幅宽场景的高精度成像需求。通过对高轨SAR图像沿距离向和方位向分块估计相位误差;利用估计得到的相位误差分别对每个图像块进行相位误差预补偿,得到预补偿后的图像块;利用图像质量提升较大的图像块对应的相位误差,计算得到整个场景相位误差二维曲面对应的多项式系数;根据得到的多项式系数,拟合整个场景的相位误差二维曲面,将整个场景的相位误差拟合曲面补偿到高轨SAR整幅图像中,完成相位误差最终校正,能够解决传统PGA算法在高轨SAR大幅宽场景下估计精度随场景对比度变化、补偿后图像聚焦效果不一致的问题。