发明授权
- 专利标题： 具有晶体结构的N功函金属
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申请号： CN201410345066.4申请日： 2014-07-18
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公开(公告)号： CN104916543B公开(公告)日： 2018-12-28
- 发明人: 洪奇成 , 刘冠廷 , 粘骏楠
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理商 章社杲; 孙征
- 优先权： 14/213,194 2014.03.14 US
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/78 ; H01L29/49
摘要：
本发明提供了一种方法，该方法包括在半导体衬底上方形成伪栅极堆叠件，其中，该半导体衬底包括在晶圆中。该方法还包括去除伪栅极堆叠件以形成凹槽，在凹槽中形成栅极介电层，且在凹槽中和栅极介电层上方形成金属层。金属层具有n功函。金属层的一部分具有晶体结构。该方法还包括使用金属材料填充凹槽的剩余部分，其中，金属材料覆盖金属层。本发明还涉及具有晶体结构的N功函金属。
公开/授权文献
- CN104916543A 具有晶体结构的N功函金属 公开/授权日：2015-09-16
IPC分类:
