公开(公告)号：CN104916543A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410345066.4

申请日：2014-07-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 洪奇成 ,  刘冠廷 ,  粘骏楠

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/32 ,  H01L23/535 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L21/28008 ,  H01L29/49

摘要： 本发明提供了一种方法，该方法包括在半导体衬底上方形成伪栅极堆叠件，其中，该半导体衬底包括在晶圆中。该方法还包括去除伪栅极堆叠件以形成凹槽，在凹槽中形成栅极介电层，且在凹槽中和栅极介电层上方形成金属层。金属层具有n功函。金属层的一部分具有晶体结构。该方法还包括使用金属材料填充凹槽的剩余部分，其中，金属材料覆盖金属层。本发明还涉及具有晶体结构的N功函金属。

公开(公告)号：CN104916543B

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201410345066.4

申请日：2014-07-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 洪奇成 ,  刘冠廷 ,  粘骏楠

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49

摘要： 本发明提供了一种方法，该方法包括在半导体衬底上方形成伪栅极堆叠件，其中，该半导体衬底包括在晶圆中。该方法还包括去除伪栅极堆叠件以形成凹槽，在凹槽中形成栅极介电层，且在凹槽中和栅极介电层上方形成金属层。金属层具有n功函。金属层的一部分具有晶体结构。该方法还包括使用金属材料填充凹槽的剩余部分，其中，金属材料覆盖金属层。本发明还涉及具有晶体结构的N功函金属。

公开(公告)号：CN103811504A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310157166.X

申请日：2013-04-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 粘骏楠 ,  张世杰 ,  郑志成 ,  张简旭珂 ,  洪育德

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L27/14623 ,  H01L27/1462

摘要： 本发明公开了对CMOS图像传感器的HfO2/SiO2-Si界面的改进。一种半导体器件包括衬底和设置在衬底上的抗反射涂层，该抗反射涂层和衬底形成界面，在该界面处的碳浓度和氯浓度小于氧浓度。

公开(公告)号：CN103811504B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201310157166.X

申请日：2013-04-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 粘骏楠 ,  张世杰 ,  郑志成 ,  张简旭珂 ,  洪育德

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L27/14623 ,  H01L27/1462

摘要： 本发明公开了对CMOS图像传感器的HfO2/SiO2‑Si界面的改进。一种半导体器件包括衬底和设置在衬底上的抗反射涂层，该抗反射涂层和衬底形成界面，在该界面处的碳浓度和氯浓度小于氧浓度。