IGBT子模组单元及其封装模块
摘要:
本发明公开了一种IGBT子模组单元及其封装模块,属于半导体器件封装技术领域,解决现有压接型IGBT封装结构中辅助发射极回路的杂散参数不一致的技术问题。该IGBT子模组单元包括:IGBT芯片;发射极钼片,其一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触;集电极钼片,其一面与所述IGBT芯片的集电极接触;第一导电件,其一端与所述IGBT芯片的发射极接触;安装底座,其上设置有用于容纳所述发射极钼片的第一孔洞和用于使所述第一导电件从中穿过的第二孔洞,所述安装底座的第一孔洞的边缘上还设置有卡接部件。
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