发明授权
- 专利标题: IGBT子模组单元及其封装模块
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申请号: CN201510405002.3申请日: 2015-07-10
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公开(公告)号: CN105047653B公开(公告)日: 2018-11-20
- 发明人: 刘国友 , 窦泽春 , 彭勇殿 , 李继鲁 , 肖红秀 , 方杰 , 常桂钦 , 忻兰苑 , 徐凝华 , 王世平
- 申请人: 株洲南车时代电气股份有限公司
- 申请人地址: 湖南省株洲市石峰区时代路169号
- 专利权人: 株洲南车时代电气股份有限公司
- 当前专利权人: 株洲中车时代电气股份有限公司
- 当前专利权人地址: 湖南省株洲市石峰区时代路169号
- 代理机构: 北京聿宏知识产权代理有限公司
- 代理商 张文娟; 朱绘
- 主分类号: H01L25/07
- IPC分类号: H01L25/07 ; H01L23/48
摘要:
本发明公开了一种IGBT子模组单元及其封装模块,属于半导体器件封装技术领域,解决现有压接型IGBT封装结构中辅助发射极回路的杂散参数不一致的技术问题。该IGBT子模组单元包括:IGBT芯片;发射极钼片,其一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触;集电极钼片,其一面与所述IGBT芯片的集电极接触;第一导电件,其一端与所述IGBT芯片的发射极接触;安装底座,其上设置有用于容纳所述发射极钼片的第一孔洞和用于使所述第一导电件从中穿过的第二孔洞,所述安装底座的第一孔洞的边缘上还设置有卡接部件。
公开/授权文献
- CN105047653A IGBT子模组单元及其封装模块 公开/授权日:2015-11-11
IPC分类: