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公开(公告)号：CN105047653B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201510405002.3
申请日：2015-07-10
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种IGBT子模组单元及其封装模块，属于半导体器件封装技术领域，解决现有压接型IGBT封装结构中辅助发射极回路的杂散参数不一致的技术问题。该IGBT子模组单元包括：IGBT芯片；发射极钼片，其一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，其一面与所述IGBT芯片的集电极接触；第一导电件，其一端与所述IGBT芯片的发射极接触；安装底座，其上设置有用于容纳所述发射极钼片的第一孔洞和用于使所述第一导电件从中穿过的第二孔洞，所述安装底座的第一孔洞的边缘上还设置有卡接部件。
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公开(公告)号：CN104465536B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201410614116.4
申请日：2014-11-04
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L23/15
摘要： 本发明公开了一种陶瓷衬板，包括陶瓷层和分设在陶瓷层的上下表面的金属层，其中至少在陶瓷层的上下表面的其中一个表面上设有用于分散电场集中的分散电场结构。所述分散电场结构设在陶瓷层未被金属层覆盖的两外侧，两外侧的分散电场结构呈轴对称布置。该陶瓷衬板能更好地分散电场集中从而使得绝缘性能更好。
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公开(公告)号：CN104134648B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410335689.3
申请日：2014-07-15
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L23/58
CPC分类号： H01L2224/33 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
摘要： 本发明的功率半导体器件包括第一电极、第二电极、设置在第一电极和第二电极之间的芯片，以及设置在第一电极和第二电极之间的旁路导通单元。旁路导通单元包括导电件和固定件。其中，固定件构造成在芯片正常工作时能阻止导电件与第一电极和第二电极导通，而在芯片失效后受热膨胀以解除对导电件的阻止，使得第一电极通过导电件与第二电极导通。由于在芯片失效后，第一电极和第二电极可以通过旁路导通单元导通，因此，在芯片失效后，该功率半导体器件仍能正常工作。
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公开(公告)号：CN106856180B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201510900654.4
申请日：2015-12-08
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60
摘要： 本发明提出了一种焊接IGBT模块的方法，其包括以下步骤：步骤一：将拱形的基板展平并固定在平板上，所述基板的凸出面抵接于平板；步骤二：在所述基板的凹陷面上设置焊料以形成厚度均匀的衬板焊料层；步骤三：将衬板覆盖在所述衬板焊料层上；步骤四：将所述平板放置在水平的加热板上加热以使得所述衬板焊料层熔化，然后冷却所述衬板焊料层。采用本方法后能有效的控制基板拱度不规则变化，使模块封装后达到规定的基板拱度值，在焊接时不需要考虑焊接材料与封装工艺参数，基板拱度合格率提高。
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公开(公告)号：CN104465549B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201410779614.4
申请日：2014-12-15
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31
摘要： 本申请公开了一种功率半导体模块，包括：相对设置的外壳上盖和外壳底座，所述外壳底座设置有多个定位凸台；设置在所述外壳上盖和所述外壳底座之间的整体定位装置，所述整体定位装置设置有与所述定位凸台的数目相同且位置相同的定位方格。本申请所公开的一种功率半导体模块的整体定位装置和定位凸台配合定位，就能保证将每个芯片置于合适的位置，因此可以利用机器，自动化地向定位方格中放置芯片，从而使得生产效率大为提高。
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公开(公告)号：CN106803488A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201510834949.6
申请日：2015-11-26
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60
摘要： 本发明提供了一种功率模块焊接装置，包括用于将焊片定位安装于基板上的定位工装，所述定位工装包括安装本体及与焊片形状对应的焊片安装区，所述焊片安装区由安装本体围成，所述安装本体包括多组隔片，多组所述隔片沿基板的长度方向分段设置。本发明具有保证焊片有效定位、提高组装效率及焊接质量的优点。
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公开(公告)号：CN105633065A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410694909.1
申请日：2014-11-27
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种功率模块芯片电极连接结构，包括衬底，所述衬底上的芯片电极区设有用来实现芯片电极连接的端子排组件，所述衬底的芯片电极区通过芯片弹性连接组件完成芯片电极与端子排组件之间的弹性连接。本发明具有可降低芯片串并联过程中的杂散电感、降低组装成本、提高功率模块可靠性等优点。
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公开(公告)号：CN103545282B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310541204.1
申请日：2013-11-05
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC分类号： H01L2224/0603 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种绝缘栅双极晶闸管模块及电极功率端子，其中，电极功率端子包括，第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极由一多层板构成，所述多层板包括N层电极板，相邻两层电极板之间设置有绝缘板，其中，M层电极板之间通过至少一个第一通孔实现电气连接构成所述第一电极，且各个所述第一通孔与除所述M层电极板以外的每一电极板均电气绝缘，除所述M层电极板以外的至少一层电极板构成所述第二电极。由于多层电极板之间通过第一通孔实现电气连接，可以实现多层电极板的相间排列，这样能够增大电极平行相对的面积，能够减小寄生电感。基于该电极功率端子的绝缘栅双极晶闸管模块产生的寄生电感也较低。
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公开(公告)号：CN105047653A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510405002.3
申请日：2015-07-10
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种IGBT子模组单元及其封装模块，属于半导体器件封装技术领域，解决现有压接型IGBT封装结构中辅助发射极回路的杂散参数不一致的技术问题。该IGBT子模组单元包括：IGBT芯片；发射极钼片，其一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，其一面与所述IGBT芯片的集电极接触；第一导电件，其一端与所述IGBT芯片的发射极接触；安装底座，其上设置有用于容纳所述发射极钼片的第一孔洞和用于使所述第一导电件从中穿过的第二孔洞，所述安装底座的第一孔洞的边缘上还设置有卡接部件。
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公开(公告)号：CN104992934A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510284780.1
申请日：2015-05-29
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L23/32
摘要： 本发明涉及一种功率半导体器件子模组，包括：导电组件，导电组件包括第一导电体，与第一导电体相对设置的第二导电体，以及叠置于第一导电体与第二导电体之间的芯片，容纳导电组件的夹持组件，夹持组件能向第一导电体以及第二导电体施加沿叠置方向的夹持力。通过使用这种功率半导体器件子模组能防止芯片与第一导电体和第二导电体发生错位。
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