发明公开
- 专利标题: 一种反应腔室及半导体加工设备
- 专利标题(英): Reaction chamber and semiconductor processing equipment
-
申请号: CN201410202122.9申请日: 2014-05-13
-
公开(公告)号: CN105097401A公开(公告)日: 2015-11-25
- 发明人: 张彦召 , 佘清 , 陈鹏
- 申请人: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
- 申请人地址: 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
- 专利权人: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
- 当前专利权人: 北京北方华创微电子装备有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
- 代理机构: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 彭瑞欣; 张天舒
- 主分类号: H01J37/32
- IPC分类号: H01J37/32
摘要:
本发明提供反应腔室及半导体加工设备,该反应腔室包括采用不导磁的材料制成的法拉第屏蔽环和采用绝缘材料制成的绝缘环,在法拉第屏蔽环上设置有开缝,法拉第屏蔽环和绝缘环均套置在反应腔室的侧壁内侧,且法拉第屏蔽环叠置在绝缘环上,在绝缘环的内周壁内侧设置遮蔽环,遮蔽环与法拉第屏蔽环下表面的边缘区域连接,遮蔽环上设置有开缝,且遮蔽环采用不导磁的材料制成,并且,遮蔽环的外周壁与绝缘环的内周壁在水平方向上存在水平间距。该反应腔室,不仅可以避免降低打火风险,而且可以降低金属粒子剥落对反应腔室造成的污染;另外,可以增大反应腔室的内径和可利用控制。
公开/授权文献
- CN105097401B 一种反应腔室及半导体加工设备 公开/授权日:2017-06-06