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公开(公告)号：CN105489463B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201410476179.8
申请日：2014-09-17
摘要： 本发明提供一种预清洗腔室及半导体加工设备，其包括采用绝缘材料制成的顶盖，在顶盖下表面设置有槽部，用以阻断附着在顶盖下表面的残留物形成闭合回路；并且，在槽部下方还设置有采用绝缘材料制作的阻挡件，阻挡件用于阻挡残留物进入槽部内。本发明提供的预清洗腔室，其不仅可以避免射频能量在顶盖上产生欧姆损耗，从而可以减少清洗顶盖的频次、降低设备成本且提高设备产能，而且还可以实现金属刻蚀，从而可以扩大预清洗腔室的工艺窗口范围。
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公开(公告)号：CN104752134B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201310740116.4
申请日：2013-12-29
摘要： 本发明涉及一种反应腔室及等离子体加工设备，其顶部上方设有线圈，线圈通过第一匹配器与第一电源连接，反应腔室内部设有承载装置，承载装置通过第二匹配器与第二电源连接；第一匹配器包括第一传感器、第一控制器、第一匹配网络和第一滤波网络；第一滤波网络连接于第一控制器和第一匹配网络之间；第二匹配器包括第二传感器、第二控制器、第二匹配网络和第二滤波网络；第二滤波网络连接于第二控制器和第二匹配网络之间。反应腔室可以使第一电源输出的第一功率和第二电源输出的第二功率在工艺过程中保持稳定，不产生大的波动，从而反应腔室内的等离子体的产生和分布保持稳定，以及使工艺具有较好的均匀性和重复性；并使反应腔室的制造成本降低。
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公开(公告)号：CN106376168A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201510427518.8
申请日：2015-07-20
摘要： 本发明提供一种阻抗匹配器、阻抗匹配方法及半导体加工设备，包括控制器、匹配网络和电机，所述电机用于调节所述匹配网络的输入阻抗，其特征在于，还包括记录单元，所述记录单元用于记录所述电机的实时位置或初始预设位置；所述控制器根据所述电机的实时位置或初始预设位置在所述电机完成上次匹配任务后、执行下次匹配任务前复位。该阻抗匹配器的匹配效率和匹配精度高。本发明还提供一种阻抗匹配方法及半导体加工设备。
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公开(公告)号：CN106298422A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510367794.X
申请日：2015-06-29
摘要： 本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，其包括用于产生等离子体的工艺腔、设置在所述工艺腔顶部的点火装置和射频源，其中，点火装置用于使位于点火装置部分的等离子体启辉；射频源用于分别向第一射频线圈和点火装置提供射频能量，并通过对第一射频线圈和点火装置获得的射频能量进行分配调节，而使位于点火装置部分以及工艺腔内的等离子体顺序启辉。本发明提供的反应腔室，其可以在保证顺利启辉的前提下，使工艺腔内的工艺气压恒定不变，从而可以提高整个工艺的稳定性。而且，由于在启辉过程中，工艺腔内的工艺气压较低，这不仅可以提高刻蚀均匀性，而且还可以避免启辉电压较高损伤基片。
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公开(公告)号：CN104752134A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310740116.4
申请日：2013-12-29
CPC分类号： H01L21/67213
摘要： 本发明涉及一种反应腔室及等离子体加工设备，其顶部上方设有线圈，线圈通过第一匹配器与第一电源连接，反应腔室内部设有承载装置，承载装置通过第二匹配器与第二电源连接；第一匹配器包括第一传感器、第一控制器、第一匹配网络和第一滤波网络；第一滤波网络连接于第一控制器和第一匹配网络之间；第二匹配器包括第二传感器、第二控制器、第二匹配网络和第二滤波网络；第二滤波网络连接于第二控制器和第二匹配网络之间。反应腔室可以使第一电源输出的第一功率和第二电源输出的第二功率在工艺过程中保持稳定，不产生大的波动，从而反应腔室内的等离子体的产生和分布保持稳定，以及使工艺具有较好的均匀性和重复性；并使反应腔室的制造成本降低。
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公开(公告)号：CN102534524B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201010603748.2
申请日：2010-12-14
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明提供一种用于PVD工艺的反应腔室及PVD系统，其中，用于PVD工艺的反应腔室包括反应腔室本体、下电极和靶材，所述靶材设置于所述反应腔室本体的顶部，所述下电极设置于所述反应腔室本体内的底部，其中还包括下电极射频电源组，所述下电极射频电源组中包括至少两个射频电源和至少两个匹配器，且所述至少两个射频电源与至少两个匹配器一一对应，所述下电极射频电源组用于向所述下电极输出射频功率。本发明通过下电极射频电源组中各种频率的射频电源向反应腔室内输出不同频的射频功率，不仅增大了等离子体的密度，而且还使反应腔室内的等离子体的分布更加均匀，有利于提高等离子体加工晶圆的均匀性，从而满足PVD工艺处理的要求。
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公开(公告)号：CN104425201A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310388807.2
申请日：2013-08-30
CPC分类号： H01J37/32183
摘要： 本发明提供阻抗匹配方法及阻抗匹配系统，阻抗匹配方法包括以下步骤：步骤S1，采集射频电源的输出信号，并根据输出信号判断射频电源输出的射频功率信号是否存在；步骤S2，对射频电源的输出阻抗和负载阻抗进行匹配；步骤S3，控制电机停止匹配工作且保持在当前匹配位置不变。本发明提供的阻抗匹配方法，其可以提高阻抗匹配的速率，从而可以避免在整个工艺过程中无法实现阻抗匹配。
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公开(公告)号：CN102418073B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201110099424.4
申请日：2011-04-20
CPC分类号： C23C14/358 , C23C14/564 , H01J37/32467 , H01J37/32651 , H01J37/32871 , H01J37/3411
摘要： 一种溅射腔室、预清洗腔室以及等离子体加工设备，所述溅射腔室包括腔体、靶、静电卡盘以及电感线圈，所述靶设置在所述腔体顶端并与电源连接，所述静电卡盘设置在所述腔体底部，所述电感线圈设置在所述腔体的外侧。该溅射腔室可以避免电感线圈被等离子体溅射，从而提高电感线圈的使用寿命，降低溅射腔室的使用成本，同时减少溅射腔室内的颗粒污染源，以及避免因电感线圈表面沉积颗粒而污染被加工工件以及提高靶的利用率。所述预清洗腔室可以将顶盖设计成易于加工的结构，避免采用加工成本较高的拱形结构，从而降低顶盖的加工成本以及提高颗粒与顶盖的附着力，减少甚至避免附着在顶盖表面的颗粒对位于顶盖下方的被加工工件的污染。
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公开(公告)号：CN103854945A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210516399.X
申请日：2012-12-05
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/32669
摘要： 本发明提出了一种等离子体设备及其反应腔室。所述反应腔室包括腔体、线圈和多个磁铁。其中腔体内具有反应腔。线圈环绕腔体的外周壁设置。多个磁铁设在腔体之外且沿腔体的周向间隔布置，多个磁铁的N极沿腔体的轴向定向且朝向同一方向。根据本发明的用于等离子体设备的反应腔室，通过在腔体的外面沿周向设置多个磁铁，在清洗工艺过程中，磁铁可吸引工艺气体例如Ar等离子体向着反应腔的边缘周壁处运动，从而降低了中心处的等离子密度，增加了边缘处的等离子密度，进而提高了反应腔内等离子体分布的均匀性，使等离子体可对基座上的晶片均匀地刻蚀，提高晶片上杂质的去除效果，同时还有效增加了用于等离子体设备的反应腔室的工艺窗口。
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