阵列基板及其制作方法

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专利标题： 阵列基板及其制作方法
专利标题（英）： Array substrate and manufacturing method thereof
申请号： CN201510663063.X

申请日： 2015-10-14
公开(公告)号： CN105226016A

公开(公告)日： 2016-01-06
发明人: 林亮 , 杨成绍 , 姜涛 , 邹志翔 , 黄寅虎
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
申请人地址： 北京市朝阳区酒仙桥路10号
专利权人： 京东方科技集团股份有限公司,合肥鑫晟光电科技有限公司
当前专利权人： 京东方科技集团股份有限公司,合肥鑫晟光电科技有限公司
当前专利权人地址： 北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构： 北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理商 鞠永善
主分类号： H01L21/77
IPC分类号： H01L21/77 ; H01L27/12 ; G02F1/1362

摘要：

本发明公开了一种阵列基板及其制作方法，属于液晶显示器领域。所述方法包括：在基板上溅射一层氧化铟锡ITO薄膜；对所述基板进行退火处理；在所述ITO薄膜上形成一层栅极金属薄膜；对所述ITO薄膜和所述栅极金属薄膜进行处理，得到公共电极图案和栅极图案。在本发明实施例中，在ITO薄膜溅射完成后进行退火，可以使得ITO薄膜中的水汽残留释放，从而避免了在ITO和Gate交界面形成鼓包，提高ADS产品的良率。

摘要（英）：

The invention, which belongs to the liquid crystal display field, discloses an array substrate and a manufacturing method thereof. The method comprises: an indium-tin-oxide (ITO) film is arranged on a substrate in a sputtering mode; annealing processing is carried out on the substrate; a gate metal film is formed on the ITO film; and the ITO film and the gate metal film are processed to obtain a common electrode pattern and a gate pattern. According to the embodiment of the invention, annealing is carried out after ITO film sputtering and thus residual moisture in the ITO film can be released, thereby avoiding a bump phenomenon at an interface of the ITO and gate and improving a yield of an ADS product.

公开/授权文献

CN105226016B 阵列基板及其制作方法公开/授权日：2018-11-23

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）