公开(公告)号：CN112034656B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202010955164.5

申请日：2020-09-11

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 万云海 ,  邹志翔 ,  陈川 ,  桂学海 ,  孙培华

IPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/1368

摘要： 本公开提供了一种阵列基板和显示装置，属于显示技术领域。该阵列基板包括设于衬底基板上的多条扫描线、多条数据线和阵列设置的子像素，任意一个所述子像素包括像素电极和开关晶体管；其中，所述像素电极与所述开关晶体管的漏电极连接，所述开关晶体管的栅电极与一条所述扫描线连接，所述开关晶体管的源电极与一条所述数据线连接；所述子像素的开关晶体管的有源层位于所述子像素的像素电极和所述子像素连接的数据线之间。该阵列基板能够提高显示面板的透光率。

公开(公告)号：CN109817646B

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN201910129191.4

申请日：2019-02-21

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 林亮 ,  万云海 ,  邹志翔 ,  陈川 ,  何为

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/786

摘要： 本发明提供一种基板、显示面板及基板的制备方法，属于显示技术领域，其可解决现有的基板中不同晶体管的有源区因光照射而老化程度不同，从而造成基板可靠性的不足的问题。本发明的基板，包括：基底、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管。在基板的入光侧和第一薄膜晶体管的有源区之间设有遮光结构。遮光结构用于遮挡至少部分射向第一薄膜晶体管的有源区的光，以使第一薄膜晶体管的有源区中受到光照部分所占的面积比低于第二薄膜晶体管的有源区中受到光照部分所占的面积比；且第一薄膜晶体管处于负偏压的时间所占的时间比例大于等于第一预设值；第二薄膜晶体管处于负偏压的时间所占的时间比例小于等于第二预设值；第一预设值大于所述第二预设值。

公开(公告)号：CN109920729A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201910237592.1

申请日：2019-03-27

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 林亮 ,  邹志翔 ,  万云海 ,  罗标 ,  陈彦波

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/84 ,  H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

摘要： 本发明提供一种显示基板的制备方法、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的金属层易鼓泡降低产品良率的问题。本发明的显示基板的制备方法中，利用光刻工艺形成图案化的金属层后，再利用等离子轰击金属表面残留的光刻胶，需要说明的是，在现有工艺中，这些残留的光刻胶肉眼并不可见，本实施例中的等离子轰击其表面，一方面利用物理力冲击残留的光刻胶，另一方面等离子体可与残留的光刻胶的基团发生化学反应并以气体方式挥发，从而将残留光刻胶彻底去除，防止非金属结构层产生鼓泡。

公开(公告)号：CN107731679A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710947326.9

申请日：2017-10-12

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

发明人： 邹志翔 ,  宋博韬 ,  林亮 ,  杨成绍 ,  黄寅虎

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L27/12

摘要： 本发明公开了一种显示面板的制造方法、显示面板和显示装置，属于显示技术领域。所述方法包括：在衬底基板上依次形成第二膜层和第一膜层，第一膜层上形成有第一过孔；在形成有第一膜层的衬底基板上形成光刻胶图案；以高于光刻胶图案的耐受温度的温度对光刻胶图案进行热固化处理；通过刻蚀工艺刻蚀第二膜层，以在第二膜层上形成第二过孔。本发明通过以高于光刻胶图案耐受温度的温度对光刻胶图案进行热固化，使光刻胶图案在热固化过程中均匀附着在过孔侧壁上。解决了相关技术中，光刻胶难以保护过孔侧壁，导致过孔侧壁与衬底基板的夹角较大，使后续形成于过孔中的结构可能在该过孔处断裂，造成显示面板不良的问题，达到了提高显示面板良率的效果。

公开(公告)号：CN105226016A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510663063.X

申请日：2015-10-14

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

发明人： 林亮 ,  杨成绍 ,  姜涛 ,  邹志翔 ,  黄寅虎

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362

CPC分类号： G02F1/134309 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134318 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/1259 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295

摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法，属于液晶显示器领域。所述方法包括：在基板上溅射一层氧化铟锡ITO薄膜；对所述基板进行退火处理；在所述ITO薄膜上形成一层栅极金属薄膜；对所述ITO薄膜和所述栅极金属薄膜进行处理，得到公共电极图案和栅极图案。在本发明实施例中，在ITO薄膜溅射完成后进行退火，可以使得ITO薄膜中的水汽残留释放，从而避免了在ITO和Gate交界面形成鼓包，提高ADS产品的良率。

公开(公告)号：CN104795400A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201510076792.5

申请日：2015-02-12

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 邹志翔 ,  杨成绍 ,  黄寅虎

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L29/42384 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78636

摘要： 本发明是关于一种阵列基板制造方法、阵列基板和显示装置，属于显示设备领域。所述方法包括：在基板上形成厚度为d的金属图案；在形成金属图案的基板上形成绝缘膜层，绝缘膜层与金属图案存在交叠区域，绝缘膜层的交叠区域与绝缘膜层的其它区域的高度差的绝对值小于d；在形成绝缘膜层的基板上形成半导体层以及源漏金属层图案。本发明通过使绝缘膜层的交叠区域与绝缘膜层的其它区域的高度差的绝对值小于d，继而在形成绝缘膜层的基板上形成的其他图案的起伏相应减小，达到了能够减小绝缘膜层上形成的走线的断线率，提高产品良率的效果。

公开(公告)号：CN116964521A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202180002929.6

申请日：2021-10-15

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

发明人： 吕凤珍 ,  谢勇贤 ,  邹志翔 ,  唐川江 ,  曲峰 ,  杨通 ,  马小叶 ,  张然

IPC分类号： G02F1/1343

摘要： 一种阵列基板及制作方法、显示面板、显示装置。阵列基板包括衬底基板(1)；设于衬底基板(1)一侧的驱动电路层(2)，包括多条数据线(22)和多条扫描线(21)；金属层(3)，设于驱动电路层(2)远离衬底基板(1)的一侧，包括多个间隔排布的、位于数据线(22)和扫描线(21)的交叉处的金属块(31)，有助于调整交叉位置处的平整度，维持形成在该处的其他结构的高度均一性和分布位置稳定性。

公开(公告)号：CN113838869A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202111113508.9

申请日：2021-09-23

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 张新霞 ,  向康 ,  吕凤珍 ,  陈鹏 ,  邹志翔

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77

摘要： 本申请第一方面的实施例提出了一种显示面板及其制作方法、显示装置。显示面板包括衬底基板和设置在衬底基板上的多个像素单元，像素单元包括薄膜晶体管、与薄膜晶体管连接的像素电极，以及在显示面板的厚度方向上与像素电极相对设置的公共电极，薄膜晶体管包括栅极、半导体有源层、第一极和第二极，像素电极与第一极或第二极连接，像素电极和栅极同层设置。本申请实施例中的显示面板在制作过程中，可以通过同一张掩模板将像素电极和栅极同时制作出。而相关技术中的显示面板制作工艺中，像素电极和栅极是分别通过一张掩模板制作的。相比于相关技术中的显示面板，本申请实施例中的显示面板在制作时可以节省一张掩模板，可以降低显示面板的制作成本。

公开(公告)号：CN113113431A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110392470.7

申请日：2021-04-13

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 林亮 ,  邹志翔 ,  陈川 ,  张新霞

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L21/84 ,  H01L21/28 ,  H01L21/44 ,  G09F9/35

摘要： 本发明涉及阵列基板及其制备方法和显示装置。所述阵列基板包括基板，基板包括非显示区和显示区；位于非显示区的基板上设置有薄膜晶体管和有机膜层，有机膜层位于薄膜晶体管远离基板的一侧，薄膜晶体管包括栅极、有源层、位于栅极以及有源层之间的栅绝缘层，源漏极、和第一钝化层；所述阵列基板满足以下条件的至少之一：(1)以下结构的至少之一在所述基板上的正投影未延伸至所述显示区：所述有机膜层、所述栅绝缘层以及所述第一钝化层；(2)所述栅绝缘层、所述第一钝化层中的至少之一满足：消光系数小于0.005。由此，本发明通过移除位于显示区中不需要的层状结构，或者通过提高位于显示区的膜层透过率，提高了阵列基板显示区的透过率。

公开(公告)号：CN104992925B

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201510415374.4

申请日：2015-07-13

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 林致远 ,  黄寅虎 ,  邹志翔 ,  操彬彬

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12

摘要： 一种导电过孔结构的制作方法、阵列基板的制作方法和显示装置的制作方法，所述阵列基板的制作方法包括：形成包括第一金属结构的第一金属层；在所述第一金属层上形成非金属层薄膜，使所述非金属层薄膜包括对应所述第一金属结构的第一部分；在所述非金属层薄膜上形成有机绝缘层薄膜，对所述有机绝缘层薄膜进行图案化处理以形成对应所述第一部分的第一有机绝缘层过孔；对经过所述图案化处理的所述有机绝缘层薄膜进行烘烤处理以形成有机绝缘层；以及在形成所述有机绝缘层之后，去除所述非金属层薄膜的所述第一部分，以形成非金属层并暴露出所述第一金属结构的部分表面。该方法可以在低成本的前提下尽量避免金属结构在形成有机绝缘层之后被严重氧化。