半导体封装系统和方法

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专利标题： 半导体封装系统和方法
申请号： CN201510454902.7

申请日： 2015-07-29
公开(公告)号： CN105321833B

公开(公告)日： 2018-08-31
发明人: 黄晖闵 , 林志伟 , 蔡再宗 , 郑明达 , 刘重希 , 余振华
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址： 中国台湾新竹
专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
当前专利权人地址： 中国台湾新竹
代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理商 章社杲; 李伟
优先权： 14/447,371 2014.07.30 US
主分类号： H01L21/56
IPC分类号： H01L21/56 ; H01L23/28

摘要：

在第一管芯和第二管芯上形成第一保护层，并且在第一保护层内形成开口。密封第一管芯和第二管芯，从而使得密封剂厚于第一管芯和第二管芯，并且在开口内形成孔。也可以将重分布层形成为在密封剂上方延伸，并且第一管芯可以与第二管芯分离。本发明实施例涉及半导体封装系统和方法。

摘要（英）：

A first protective layer is formed on a first die and a second die, and openings are formed within the first protective layer. The first die and the second die are encapsulated such that the encapsulant is thicker than the first die and the second die, and vias are formed within the openings. A redistribution layer can also be formed to extend over the encapsulant, and the first die may be separated from the second die.

公开/授权文献

CN105321833A 半导体封装系统和方法公开/授权日：2016-02-10

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50	...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56	....封装，例如密封层、涂层