- 专利标题： 氧化铍/碳化硅复合微波衰减陶瓷及其制备方法
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申请号： CN201610189269.8申请日： 2016-03-29
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公开(公告)号： CN105819832B公开(公告)日： 2018-09-18
- 发明人: 王刚 , 尚华 , 林贵洪 , 毛晋峰 , 任鹏道 , 彭世鹏 , 张亮 , 刘志文
- 申请人： 宜宾红星电子有限公司
- 申请人地址： 四川省宜宾市宜宾县城北新区仁友路1号
- 专利权人： 宜宾红星电子有限公司
- 当前专利权人： 宜宾红星电子有限公司
- 当前专利权人地址： 四川省宜宾市宜宾县城北新区仁友路1号
- 代理机构： 成都虹桥专利事务所
- 代理商 梁鑫; 高芸
- 主分类号： C04B35/08
- IPC分类号： C04B35/08 ; C04B35/626 ; C04B35/645
摘要：
本发明属于电子功能陶瓷材料技术领域，具体涉及一种氧化铍/碳化硅复合微波衰减陶瓷及其制备方法，该方法包括如下步骤：(1)、氧化铍瓷粉的制备；(2)、复合陶瓷粉料的制备；(3)、加压成型；(4)、热压烧结。该制备方法简单、易行，采用该方法制备的氧化铍/碳化硅复合微波衰减陶瓷，具有高热稳定性、高热导率、微波参数稳定性好、机械强度高的特点，在空间行波管、速调管机磁控管等微波电真空器件中有着广泛的应用。
公开/授权文献
- CN105819832A 氧化铍/碳化硅复合微波衰减陶瓷及其制备方法 公开/授权日：2016-08-03