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公开(公告)号：CN118771909A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411039937.X
申请日：2024-07-31
申请人： 宜宾红星电子有限公司
IPC分类号： C04B41/88
摘要： 本发明公开的是陶瓷材料加工技术领域的一种氧化铝金属化环制备方法，包括以下步骤：S1:车加工，将成瓷的瓷环进行车加工；S2:印刷、烘干及烧结，选取完成车加工的瓷环的一面为A面，另一面为B面，对A面进行金属化印刷后烘干并将瓷环B面向下置于钼丝炉中进行一次烧结；完成一次烧结后，对B面进行金属化印刷后烘干后将瓷环A面向下置于钼丝炉中进行二次烧结；S3:金属化复平，将第一刚玉承烧板放置于钼丝炉的推板上端，将二次烧结后的瓷环平放在第一刚玉承烧板上端，在瓷环上端放置有预设重量的压烧板，进行升温复平过程；本发明解决环状氧化铝厚膜金属化烧结后的翘曲度问题，能够制成平面度、翘曲度优异的大尺寸环状氧化铝厚膜金属化结构件。
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公开(公告)号：CN117486588A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311439160.1
申请日：2023-11-01
申请人： 宜宾红星电子有限公司
IPC分类号： C04B35/117 , C04B35/626 , C04B35/622 , B02C19/18 , B28B3/02 , B28B17/02
摘要： 本发明公开了一种用于即烧型高纯氧化铝陶瓷基板的制备方法，属于精密陶瓷生产制造工艺技术领域。提供一种分散效果相对较好，体积密度均匀，能有效降低生产过程中生坯残余应力的用于即烧型高纯氧化铝陶瓷基板的制备方法。所述的制备方法包括同步循环双分散制备浆料、热压成型制备生坯、老化处理消除生坯内部残余应力以及排胶、烧结制成即烧型高纯氧化铝陶瓷基板几个步骤，其中在同步循环双分散制备浆料时是通过加装在机械分散设备上的超声波分散循环系统与机械分散设备同步循环运行，对添加到机械分散设备内的物料进行双分散来获得分散充分的浆料，制得的即烧型高纯氧化铝陶瓷基板的翘曲度＜0.1mm、抗折强度≥550Mpa、体积密度≥3.88g/cm3、无开裂破损。
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公开(公告)号：CN117440606A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311303438.2
申请日：2023-10-10
申请人： 宜宾红星电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种图形制作方法，尤其是公开了一种用于IGBT功率模块中陶瓷覆铜板的图形制作方法，属于电子器件电路模块制造工艺技术领域。提供一种工艺流程相对较少，制造成本相对较低，制造过程中相对环保的用于IGBT功率模块中陶瓷覆铜板的图形制作方法。所述的图形制作方法包括陶瓷覆铜板，所述的图形制作方法采用紫外激光按规定的图形对陶瓷覆铜板上的保护膜进行开窗，然后再通过依次采用蚀刻以及退膜工序先后对开窗后的陶瓷覆铜板进行蚀刻和退膜完成在陶瓷覆铜板制作图形的工作。
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公开(公告)号：CN117140687A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311206291.5
申请日：2023-09-19
申请人： 宜宾红星电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种陶瓷热压铸成型的排蜡方法，包括以下步骤：S1、选取白炭黑作为陶瓷热压铸成型排蜡过程中的吸附剂；S2、在陶瓷热压铸成型的窑具容器底部铺撒白炭黑形成具有一定厚度的白炭黑底层；S3、将待排蜡的生坯放置在白炭黑底层上，生坯与白炭黑底层之间留出间隙，再在生坯上覆盖一层白炭黑，如此反复直至将窑具容器装满；S4、进行排蜡工作，使生坯具备一定强度；S5、排蜡工作完成后进行吹灰处理；S6、回收排蜡后的白炭黑并过筛以循环使用。本发明利用白炭黑的多孔结构来提供较强的吸附性以使石蜡彻底排除，不会出现堵孔、粘粉的问题，使生坯具有良好的强度，避免在后续的转运、摆放过程中发生缺损。
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公开(公告)号：CN117069481A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311043523.X
申请日：2023-08-18
申请人： 宜宾红星电子有限公司
IPC分类号： C04B35/08 , C04B35/622 , C04B35/638
摘要： 本发明涉及氧化铍陶瓷领域，尤其是一种通过获得更薄更平整的生坯，从而使得烧成后产品磨量减少，并以此实现氧化铍原材料利用率的提升的氧化铍陶瓷基片的减薄生产方法，包括如下步骤：a、制备氧化铍造粒料；b、制备氧化铍陶瓷基片；c、生坯排胶和烧结后，得到陶瓷坯，排胶的温度范围为350℃‑1200℃，烧结的温度范围为500℃‑1750℃；d、陶瓷坯经机加工、清洗和干燥后得到氧化铍陶瓷基片。本发明尤其适用于氧化铍陶瓷基片的生产制作工艺之中。
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公开(公告)号：CN115179395A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210849562.8
申请日：2022-07-19
申请人： 宜宾红星电子有限公司
IPC分类号： B28B3/20 , B28B17/02 , C04B35/08 , C04B35/10 , C04B35/581 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种成型方法，尤其是公开了一种用于高平整度陶瓷基片的成型方法，属于电子功能陶瓷生产工艺技术领域。提供一种能有效提高成品陶瓷基片平整度的用于高平整度陶瓷基片的成型方法。所述的成型方法至少包括干法制备造粒料、干压预成型、等静压预处理、等静压成型以及一次性烧结几个步骤，其中，在等静压成型时采用直线升压和阶梯式泄压的方式成型，最大压力值为200～220MPa并保压6～10分钟。
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公开(公告)号：CN112382836A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011411942.0
申请日：2020-12-03
申请人： 宜宾红星电子有限公司
IPC分类号： H01P1/20
摘要： 本发明涉及滤波器技术领域，尤其是一种叠层介质波导滤波器，其包括上陶瓷块、下陶瓷块，上陶瓷块上设置有上右侧主耦合窗口、上左侧主耦合窗口，上右侧主耦合窗口、上左侧主耦合窗口靠近上陶瓷块长边设置，下陶瓷块上设置有下右侧主耦合窗口、下左侧主耦合窗口，下右侧主耦合窗口、下左侧主耦合窗口靠近下陶瓷块长边设置，上陶瓷块、下陶瓷块的边缘设置电场分布较小，电耦合非常弱而磁场较强，上右侧主耦合窗口、上左侧主耦合、右侧主耦合窗口和下左侧主耦合窗口为磁耦合性质，产生的谐波比起电耦合性质产生的谐波更远，更加远离了工作通带，降低了对叠层介质波导滤波器的影响，有效地提高了叠层介质波导滤波器的使用效果。
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公开(公告)号：CN107904575B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201711331429.9
申请日：2017-12-13
申请人： 宜宾红星电子有限公司
摘要： 本发明属于电子功能陶瓷材料技术领域，具体涉及一种氧化铍基衰减瓷金属化方法。本发明所要解决的技术问题是提供一种氧化铍基衰减瓷金属化方法，包括以下步骤：在传统金属化方法基础上，增加预处理和化学镀镍步骤中的激活及钝化操作。本发明方法有效避免了氧化铍基衰减瓷因自身特性所导致的金属化过程缺镀、铺边等缺陷，提升产品质量。
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公开(公告)号：CN110317048A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910764573.4
申请日：2019-08-19
申请人： 宜宾红星电子有限公司
IPC分类号： C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B35/64 , C09K3/00
摘要： 本发明属于微波材料技术领域，具体涉及一种微波器件用吸收材料及其制备方法。所述微波吸收材料由以下重量配比的原料制备而成：工业硅35～45％，氧化铝陶瓷粉35～45％，塑形剂1～5％，粘合剂10～20％。本发明还提供了上述微波器件用吸收材料的制备方法。本发明通过选择合适的辅料以及辅料与工业硅、氧化铝陶瓷粉的配比，使得本发明的吸收材料制作时间短，并且可应用于工作频率范围1.13～18GHz，对应的波导口径为BJ14至BJ140。
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公开(公告)号：CN110265335A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910574823.8
申请日：2019-06-28
申请人： 宜宾红星电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体制冷器件晶粒封装工装，包括摇模工装、合模工装和振动台；本发明通过摇模工装可快速进行两种晶粒的有序装填，导向模和固定模配合对晶粒进行矫正和限位，再配合振动台的振动可极大提高晶粒的装填效率；本发明通过顶模对装填后的晶粒进行顶压限位，在焊接时对晶粒施加作用力，能够有效提高焊接效率与焊接质量；本发明中工装都采用嵌合装配，可实现批量生产，其生产成本较低、生产周期较短，装配简单、方便；本发明通过振动台带动摇模工装振动实现晶粒的快速装填，不需要人工参与，降低了工作人员的操作熟练度要求，能有效降低人工成本。
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