氧化铍基衰减瓷金属化方法

    公开(公告)号:CN107904575B

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201711331429.9

    申请日:2017-12-13

    摘要: 本发明属于电子功能陶瓷材料技术领域,具体涉及一种氧化铍基衰减瓷金属化方法。本发明所要解决的技术问题是提供一种氧化铍基衰减瓷金属化方法,包括以下步骤:在传统金属化方法基础上,增加预处理和化学镀镍步骤中的激活及钝化操作。本发明方法有效避免了氧化铍基衰减瓷因自身特性所导致的金属化过程缺镀、铺边等缺陷,提升产品质量。

    一种金属化陶瓷废品的回收方法

    公开(公告)号:CN103693998B

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:CN201310430961.1

    申请日:2013-09-22

    IPC分类号: C04B41/91

    摘要: 本发明公开了一种金属化陶瓷废品的回收方法,包括以下工艺步骤:工业酒精浸泡、清水浸泡、超声波清洗、碱煮、盐酸浸泡、烘干和两次烧结工序。经过上述工艺处理后,能够清除陶瓷废品表面层的金属化层,回收工艺简单易行,成本较低,回收率高,适宜对金属化陶瓷废品回收的产业化发展;回收的陶瓷经过检验,质量较好,能够进行二次利用。

    一种条干仪用陶瓷电容极板及其制作方法

    公开(公告)号:CN104591703B

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201410829401.8

    申请日:2014-12-26

    摘要: 本发明属于电子功能陶瓷材料技术领域,具体涉及一种条干仪用陶瓷电容极板及其制作方法。本发明所要解决的技术问题是提供一种条干仪用陶瓷电容极板的制作方法,主要工艺流程如下:辅料球磨造粒→辅料和氧化铝混合球磨造粒→干压等静压成型→生坯加工→高温烧结→磨加工→金属化→上釉→检验。该方法制备得到的条干仪用陶瓷电容极板不仅合格率更高,而且具有更好的陶瓷致密度和物理性能,更好地满足了平行度、平面度、电容量、电容偏差、介质损耗等关键指标。

    一种条干仪用陶瓷电容极板及其制作方法

    公开(公告)号:CN104591703A

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:CN201410829401.8

    申请日:2014-12-26

    摘要: 本发明属于电子功能陶瓷材料技术领域,具体涉及一种条干仪用陶瓷电容极板及其制作方法。本发明所要解决的技术问题是提供一种条干仪用陶瓷电容极板的制作方法,主要工艺流程如下:辅料球磨造粒→辅料和氧化铝混合球磨造粒→干压等静压成型→生坯加工→高温烧结→磨加工→金属化→上釉→检验。该方法制备得到的条干仪用陶瓷电容极板不仅合格率更高,而且具有更好的陶瓷致密度和物理性能,更好地满足了平行度、平面度、电容量、电容偏差、介质损耗等关键指标。

    氧化铍陶瓷金属化方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105237045B

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201510794320.3

    申请日:2015-11-18

    IPC分类号: C04B41/88

    摘要: 本发明属于电子功能陶瓷材料技术领域,具体涉及氧化铍陶瓷金属化方法。本发明解决的技术问题是:提供一种氧化铍陶瓷金属化方法,包括如下步骤:A、采用Al2O3、SiO2、CaCO3、BaCO3原料和球磨工艺制备金属化浆料添加剂;B、混入钨粉、锰粉,球磨得到金属化粉料;C、混入活性剂Y2O3和粘结剂,振磨过滤后得到金属化浆料;D、金属化烧结。采用本发明金属化方法,浆料烧结温度低,单次烧结金属化层厚且可多次烧结,同时节约能耗;并且镀镍后金属化层剥离效果好、剥离强度高,金属化层抗拉强度高等特点,不仅仅满足99%氧化铍陶瓷金属化要求,还能满足97%氧化铍陶瓷、氧化铍基衰减瓷的要求,使用范围广泛。

    一种低电压驻波比吸收体制备工艺

    公开(公告)号:CN103601477A

    公开(公告)日:2014-02-26

    申请号:CN201310580888.6

    申请日:2013-11-19

    IPC分类号: C04B35/10 C04B35/622

    摘要: 本发明公开了一种低电压驻波比吸收体制备工艺,包括如下步骤:A、粉料制备:将A-75氧化铝瓷粉及石墨等原料按25:1比例称取,加入一定比例的粘合剂和水,均匀混合,造粒,并通过20目筛网,陈腐72h。B、干压成型:根据不同吸收体外形要求,选用不同模具,添加适量粉料,施加合适压力,保压1s~3s,脱模,取出成型吸收体坯体。C、烧成:还原气氛烧成,熄火后,待窑内温度自然降温冷却至40°C~60°C时,将吸收体半成品取出。D、磨加工:按图纸对吸收体半成品进行磨加工。E、调试与测试:根据吸收体要求测试频率测试其电压驻波比。采用本发明采用上述工艺制得的吸收体外观一致性良好,结构致密均匀,具有低电压驻波比、高抗压强度、高衰减及高热导率等特点。

    氧化铍陶瓷金属化方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105237045A

    公开(公告)日:2016-01-13

    申请号:CN201510794320.3

    申请日:2015-11-18

    IPC分类号: C04B41/88

    摘要: 本发明属于电子功能陶瓷材料技术领域,具体涉及氧化铍陶瓷金属化方法。本发明解决的技术问题是:提供一种氧化铍陶瓷金属化方法,包括如下步骤:A、采用Al2O3、SiO2、CaCO3、BaCO3原料和球磨工艺制备金属化浆料添加剂;B、混入钨粉、锰粉,球磨得到金属化粉料;C、混入活性剂Y2O3和粘结剂,振磨过滤后得到金属化浆料;D、金属化烧结。采用本发明金属化方法,浆料烧结温度低,单次烧结金属化层厚且可多次烧结,同时节约能耗;并且镀镍后金属化层剥离效果好、剥离强度高,金属化层抗拉强度高等特点,不仅仅满足99%氧化铍陶瓷金属化要求,还能满足97%氧化铍陶瓷、氧化铍基衰减瓷的要求,使用范围广泛。