发明授权
- 专利标题: 透明导电膜及其制造方法
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申请号: CN201580003746.0申请日: 2015-02-03
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公开(公告)号: CN105874544B公开(公告)日: 2017-08-11
- 发明人: 早川弘毅 , 口山崇
- 申请人: 株式会社钟化
- 申请人地址: 日本大阪府
- 专利权人: 株式会社钟化
- 当前专利权人: 株式会社钟化
- 当前专利权人地址: 日本大阪府
- 代理机构: 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 周欣; 陈建全
- 优先权: 2014-069113 20140328 JP
- 国际申请: PCT/JP2015/053008 2015.02.03
- 国际公布: WO2015/146292 JA 2015.10.01
- 进入国家日期: 2016-07-05
- 主分类号: H01B5/14
- IPC分类号: H01B5/14 ; G06F3/041 ; H01L21/28 ; H01L21/285
摘要:
本发明涉及一种在透明膜基板上具有非晶质的透明电极层的透明导电膜。透明电极层由铟·锡复合氧化物构成,氧化锡的含量为3~12质量%,膜厚为15~30nm。透明电极层中,通过X射线光电子能谱测定求出的锡3d5/2的结合能ESn和铟3d5/2的结合能EIn在下述分析范围中满足下述(1)和(2)。分析范围:在包含40原子%以上铟的区域中,除去膜厚方向上的与透明电极层的表面的距离d为0~3nm的区域后的区域;(1)结合能ESn与EIn的结合能差ESn-EIn的最小值Emin与结合能差ESn-EIn的最大值Emax相比,存在于透明电极层的表面侧;(2)最大值Emax与最小值Emin之差Emax-Emin为0.1eV以上。
公开/授权文献
- CN105874544A 透明导电膜及其制造方法 公开/授权日:2016-08-17