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    电缆连接件
    1.
    发明授权
    电缆连接件 有权

    公开(公告)号：CN115210978B

    公开(公告)日：2024-04-05

    申请号：CN202180017963.0

    申请日：2021-03-24

    申请人： 株式会社钟化

    发明人： 口山崇 ,  中村淳一 ,  小泉玄介 ,  中野邦裕

    IPC分类号： H02G3/08 ,  H01R13/44 ,  H02G1/14 ,  H02G15/10 ,  H02S40/34 ,  H05K7/00

    摘要： 本发明提供一种在出现了意外的电缆分离的情况下不容易再连接的电缆连接件。本发明的一个形态所涉及的电缆连接件(1)具备：连接部件(23)，供电缆(C1)电连接；壳体(H(10、12、21、22))，保持上述连接部件(23)；以及绝缘机构(M(13、24))，在因张力作用于上述电缆(C1)而导致上述电缆(C1)从上述连接部件(23)分离了的情况下，将上述电缆(C1)与上述连接部件(23)之间绝缘。

    光电转换元件和光电转换装置
    2.
    发明授权
    光电转换元件和光电转换装置 有权

    公开(公告)号：CN111033760B

    公开(公告)日：2023-01-03

    申请号：CN201880050811.9

    申请日：2018-05-30

    申请人： 株式会社钟化

    发明人： 吉河训太 ,  口山崇

    IPC分类号： H01L31/10

    摘要： 本发明提供用于检测入射光的光点尺寸的光电转换元件。光电转换元件(20)包括具备两个主面的光电转换基板，其中，包括具有不同的光电转换特性的第1灵敏度部分(21)和第2灵敏度部分(22)，若将第1灵敏度部分(21)的在主面显露的灵敏度区域作为第1灵敏度区域，并将第2灵敏度部分(22)的在主面显露的灵敏度区域作为第2灵敏度区域，则第1灵敏度区域接收向受光面入射的入射光的至少一部分，并成为随着主面中的被照射入射光的照射区域(R)的增大而使照射区域(R)中的第1灵敏度区域相对于第2灵敏度区域的比率变小的图案。

    太阳能电池的制造方法
    5.
    发明授权
    太阳能电池的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN111742416B

    公开(公告)日：2024-03-19

    申请号：CN201980014438.6

    申请日：2019-02-19

    申请人： 株式会社钟化

    发明人： 中野邦裕 ,  三岛良太 ,  口山崇

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L21/306 ,  H01L31/0747

    摘要： 一种太阳能电池的制造方法，包含：在晶体基板(11)的一个主面(11S)上形成p型半导体层(13p)的工序、在p型半导体层(13p)上层叠以氧化物为主成分的剥离层(LF)的工序、选择性地除去p型半导体层(13p)和剥离层(LF)的工序，在选择性地除去p型半导体层(13p)和剥离层(LF)的工序中，进行使用2种以上的不同蚀刻液的湿式蚀刻，以使从晶体基板(11)的表面垂直方向的一个主面侧观察，p型半导体层(13p)的蚀刻面积小于或等于剥离层(LF)的蚀刻面积。

    太阳能电池的制造方法
    6.
    发明授权
    太阳能电池的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN111727508B

    公开(公告)日：2023-09-29

    申请号：CN201980013505.2

    申请日：2019-02-19

    申请人： 株式会社钟化

    发明人： 三岛良太 ,  中野邦裕 ,  口山崇

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L21/306 ,  H01L31/0747

    摘要： 包括以下各个工序：在包括被选择性地除去的p型半导体层(13p)和剥离层(LF)的晶体基板(11)的一主面上，形成n型半导体层(13n)的工序；通过除去剥离层(LF)，除去覆盖剥离层(LF)的n型半导体层(13n)的工序；以及分别在p型半导体层(13p)和n型半导体层(13n)上，形成透明电极层(17)的工序。在除去剥离层(LF)的工序中，除去剥离层(LF)，且保证在n型半导体层(13n)被除去的状态下，p型半导体层(13p)的一部分被剥离层(LF)覆盖。

    带有透明电极的基板及其制造方法
    7.
    发明公开
    带有透明电极的基板及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN112513315A

    公开(公告)日：2021-03-16

    申请号：CN201980050810.9

    申请日：2019-06-13

    申请人： 株式会社钟化

    发明人： 口山崇

    IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  B32B9/04 ,  B32B9/00

    摘要： 本发明提供带有透明电极的基板及其制造方法，在具有透明膜基板的膜基材上形成如下的透明氧化物层而能够实现低电阻率：所述透明氧化物层具有非晶质的透明基底氧化物层和非晶质的透明导电性氧化物层，是从膜基材侧依次连续地通过溅射法进行制膜的，并且，形成透明基底氧化物层时的使用直流(DC)电源的放电电压(VU)的绝对值为255V以上且280V以下，且形成透明基底氧化物层时的直流电源的放电电压(VU)与形成透明导电性氧化物层时的直流电源的放电电压VC的比(VU/VC)的值为0.86以上且0.98以下。

    透明导电膜及其制造方法
    8.
    发明授权
    透明导电膜及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN105874544B

    公开(公告)日：2017-08-11

    申请号：CN201580003746.0

    申请日：2015-02-03

    申请人： 株式会社钟化

    发明人： 早川弘毅 ,  口山崇

    IPC分类号： H01B5/14 ,  G06F3/041 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

    CPC分类号： C23C14/086 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/34 ,  C23C14/562 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  H01B1/08

    摘要： 本发明涉及一种在透明膜基板上具有非晶质的透明电极层的透明导电膜。透明电极层由铟·锡复合氧化物构成，氧化锡的含量为3～12质量％，膜厚为15～30nm。透明电极层中，通过X射线光电子能谱测定求出的锡3d5/2的结合能ESn和铟3d5/2的结合能EIn在下述分析范围中满足下述(1)和(2)。分析范围：在包含40原子％以上铟的区域中，除去膜厚方向上的与透明电极层的表面的距离d为0～3nm的区域后的区域；(1)结合能ESn与EIn的结合能差ESn－EIn的最小值Emin与结合能差ESn－EIn的最大值Emax相比，存在于透明电极层的表面侧；(2)最大值Emax与最小值Emin之差Emax－Emin为0.1eV以上。

    清洗浴槽
    10.
    发明授权
    清洗浴槽 有权

    公开(公告)号：CN112514033B

    公开(公告)日：2024-03-15

    申请号：CN201980050101.0

    申请日：2019-07-12

    申请人： 株式会社钟化

    发明人： 渡边真悟 ,  口山崇

    IPC分类号： H01L21/304 ,  B08B3/12

    摘要： 本发明的清洗浴槽(21)对保持于盒(51)的半导体基板(57)进行超声波处理，并具备：底壁部(22)；筒状侧壁部(23)，从底壁部(22)立起并在内部存积处理液；以及制止部(30)，制止浸渍于上述处理液的上述盒(51)向上述底壁部(22)的面内方向以及相对于上述面内方向的交叉方向的移动。在上述筒状侧壁部(23)的与筒轴方向正交的截面中，上述筒状侧壁部(23)的内侧面的周向的一部分为曲线并且余下部分为直线。