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公开(公告)号：CN105874544B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201580003746.0
申请日：2015-02-03
申请人： 株式会社钟化
IPC分类号： H01B5/14 , G06F3/041 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC分类号： C23C14/086 , C23C14/0036 , C23C14/34 , C23C14/562 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H01B1/08
摘要： 本发明涉及一种在透明膜基板上具有非晶质的透明电极层的透明导电膜。透明电极层由铟·锡复合氧化物构成，氧化锡的含量为3～12质量％，膜厚为15～30nm。透明电极层中，通过X射线光电子能谱测定求出的锡3d5/2的结合能ESn和铟3d5/2的结合能EIn在下述分析范围中满足下述(1)和(2)。分析范围：在包含40原子％以上铟的区域中，除去膜厚方向上的与透明电极层的表面的距离d为0～3nm的区域后的区域；(1)结合能ESn与EIn的结合能差ESn－EIn的最小值Emin与结合能差ESn－EIn的最大值Emax相比，存在于透明电极层的表面侧；(2)最大值Emax与最小值Emin之差Emax－Emin为0.1eV以上。
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公开(公告)号：CN104871258A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201380066868.5
申请日：2013-12-18
申请人： 株式会社钟化
CPC分类号： C23C14/34 , B32B2307/412 , B32B2307/702 , B32B2457/208 , C23C14/086 , C23C14/3414 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H05K1/09 , H05K3/16 , H05K2201/0326 , H05K2201/10053 , H05K2203/1194
摘要： 本发明提供带透明电极的基板及其制造方法，带透明电极的基板(100)在透明薄膜基板(10)上具备非晶透明电极层(20)。非晶透明电极层(20)在被施加了0.1V的偏压的情况下，具有50个/μm2以上的在加电压面的电流值为50nA以上且连续的面积为100nm2以上的区域。在一实施方式中，非晶透明电极层(20)的氧化锡的含量大于8质量％且小于16质量％。在另一实施方式中，非晶透明电极层(20)的氧化锡的含量为6.5质量％～8质量％。本发明的带透明电极的基板能够通过短时间的加热实现透明电极层的结晶化。
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公开(公告)号：CN107109639B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201680004428.0
申请日：2016-03-18
申请人： 株式会社钟化
IPC分类号： C23C14/58 , B32B7/022 , B32B7/023 , B32B7/025 , C23C14/08 , C23C14/34 , G06F3/041 , H01B5/14 , H01B13/00
摘要： 本发明提供一种带透明电极的基板，该带透明电极的基板(21)在透明基板(12)上具备金属氧化物透明电极层(13)。透明电极层的表面的平均最高曲率Ssc优选为5.4×10‑4nm‑1以下。例如，如果在制膜成透明电极层后，实施采用低放电功率的溅射的表面处理，则能够减小透明电极层的Ssc。对于本发明的带透明电极的基板而言，透明电极层(13)和设置于其上的金属引出配线(14)的密合性上优异。透明电极层(13)例如通过在施加第一放电功率，实施透明电极制膜工序后，施加第二放电功率，实施表面处理工序而得到。
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公开(公告)号：CN105830173A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201580003181.6
申请日：2015-01-19
申请人： 株式会社钟化
CPC分类号： H01L33/42 , C23C14/024 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/5806 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/0392
摘要： 本发明提供可以同时实现促进热处理时的结晶化和抑制常温环境下的结晶化的带有透明电极的基板。带有透明电极的基板是在膜基板(100)上形成了由透明导电性氧化物制成的透明电极薄膜(300)。在上述膜基板(100)与上述透明电极薄膜(300)之间形成了含有金属氧化物作为主成分的基底层(200)。上述基底层(200)与上述透明电极薄膜(300)相接触。上述透明电极薄膜(300)为非晶质，上述基底层(200)为介电体且为结晶质。
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公开(公告)号：CN105830173B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201580003181.6
申请日：2015-01-19
申请人： 株式会社钟化
CPC分类号： H01L33/42 , C23C14/024 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/5806 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/0392
摘要： 本发明提供可以同时实现促进热处理时的结晶化和抑制常温环境下的结晶化的带有透明电极的基板。带有透明电极的基板是在膜基板(100)上形成了由透明导电性氧化物制成的透明电极薄膜(300)。在上述膜基板(100)与上述透明电极薄膜(300)之间形成了含有金属氧化物作为主成分的基底层(200)。上述基底层(200)与上述透明电极薄膜(300)相接触。上述透明电极薄膜(300)为非晶质，上述基底层(200)为介电体且为结晶质。
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公开(公告)号：CN104067353B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201380006560.1
申请日：2013-01-18
申请人： 株式会社钟化
CPC分类号： H05K1/0274 , C23C14/086 , C23C14/10 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H01L31/022475 , H01L31/1884 , H01L51/442 , H01L51/5215 , H01L51/5234 , H01L2251/306 , H01L2251/308 , H05K1/092 , H05K2201/0329 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10T428/265
摘要： 本发明涉及一种带有透明电极的基板，该基板在透明膜基材的至少一面具有透明电极层。透明膜基材在透明电极层侧的表面具有以氧化物为主成分的透明电介质层。在一个实施方式中，透明电极层为结晶度为80％以上的结晶质透明电极层。在该实施方式中，结晶质透明电极层的电阻率为3.5×10‑4Ω·cm以下，膜厚为15nm～40nm，氧化铟的含量为87.5％～95.5％，载流子密度为4×1020/cm3～9×1020/cm3，且优选带有透明电极的基板的利用热机械分析测定的热收缩起始温度为75℃～120℃。
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公开(公告)号：CN104603320B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380045444.0
申请日：2013-08-23
申请人： 株式会社钟化
CPC分类号： C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/5806 , G06F3/041 , H05K1/0274 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/16 , H05K3/22 , H05K3/388 , H05K2201/0104 , H05K2201/0108 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , H05K2201/0326 , H05K2203/1194
摘要： 本发明的目的在于提供带透明电极的基板的制造方法、以及带透明电极的基板，该带透明电极的基板在树脂基板上具备低电阻的透明电极。本发明的制造方法具有：在透明薄膜基板上通过溅射法形成由氧化铟锡构成的透明电极层的制膜工序；以及将透明电极层结晶化的结晶化工序。在制膜工序中，使用含有氧化铟与氧化锡的溅射靶材，一般将含有氩气以及氧气的溅射气体导入腔室内，一边进行溅射制膜。优选根据导向腔室的溅射气体的导入量(Q)以及腔室内的压力(P)由式子：S(L/秒)＝1.688×Q(sccm)/P(Pa)求出的有效排气速度(S)为1200～5000(L/秒)。本发明的带透明电极的基板优选透明电极层的电阻率不足3×10‑4Ωcm。
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公开(公告)号：CN104603320A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380045444.0
申请日：2013-08-23
申请人： 株式会社钟化
CPC分类号： C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/5806 , G06F3/041 , H05K1/0274 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/16 , H05K3/22 , H05K3/388 , H05K2201/0104 , H05K2201/0108 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , H05K2201/0326 , H05K2203/1194
摘要： 本发明的目的在于提供带透明电极的基板的制造方法、以及带透明电极的基板，该带透明电极的基板在树脂基板上具备低电阻的透明电极。本发明的制造方法具有：在透明薄膜基板上通过溅射法形成由氧化铟锡构成的透明电极层的制膜工序；以及将透明电极层结晶化的结晶化工序。在制膜工序中，使用含有氧化铟与氧化锡的溅射靶材，一般将含有氩气以及氧气的溅射气体导入腔室内，一边进行溅射制膜。优选根据导向腔室的溅射气体的导入量(Q)以及腔室内的压力(P)由式子：S(L/秒)＝1.688×Q(sccm)/P(Pa)求出的有效排气速度(S)为1200～5000(L/秒)。本发明的带透明电极的基板优选透明电极层的电阻率不足3×10-4Ωcm。
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公开(公告)号：CN104067353A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201380006560.1
申请日：2013-01-18
申请人： 株式会社钟化
CPC分类号： H05K1/0274 , C23C14/086 , C23C14/10 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H01L31/022475 , H01L31/1884 , H01L51/442 , H01L51/5215 , H01L51/5234 , H01L2251/306 , H01L2251/308 , H05K1/092 , H05K2201/0329 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10T428/265
摘要： 本发明涉及一种带有透明电极的基板，该基板在透明膜基材的至少一面具有透明电极层。透明膜基材在透明电极层侧的表面具有以氧化物为主成分的透明电介质层。在一个实施方式中，透明电极层为结晶度为80％以上的结晶质透明电极层。在该实施方式中，结晶质透明电极层的电阻率为3.5×10-4Ω·cm以下，膜厚为15nm～40nm，氧化铟的含量为87.5％～95.5％，载流子密度为4×1020/cm3～9×1020/cm3，且优选带有透明电极的基板的利用热机械分析测定的热收缩起始温度为75℃～120℃。
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公开(公告)号：CN107109639A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680004428.0
申请日：2016-03-18
申请人： 株式会社钟化
摘要： 本发明提供一种带透明电极的基板，该带透明电极的基板(21)在透明基板(12)上具备金属氧化物透明电极层(13)。透明电极层的表面的平均最高曲率Ssc优选为5.4×10‑4nm‑1以下。例如，如果在制膜成透明电极层后，实施采用低放电功率的溅射的表面处理，则能够减小透明电极层的Ssc。对于本发明的带透明电极的基板而言，透明电极层(13)和设置于其上的金属引出配线(14)的密合性上优异。透明电极层(13)例如通过在施加第一放电功率，实施透明电极制膜工序后，施加第二放电功率，实施表面处理工序而得到。
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