- 专利标题: 一种高开孔率多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法
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申请号: CN201610282312.5申请日: 2016-04-29
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公开(公告)号: CN105948781B公开(公告)日: 2019-03-22
- 发明人: 冯志海 , 王筠 , 师建军 , 杨云华 , 左小彪 , 余瑞莲
- 申请人: 航天材料及工艺研究所 , 中国运载火箭技术研究院
- 申请人地址: 北京市丰台区南大红门路1号
- 专利权人: 航天材料及工艺研究所,中国运载火箭技术研究院
- 当前专利权人: 航天材料及工艺研究所,中国运载火箭技术研究院
- 当前专利权人地址: 北京市丰台区南大红门路1号
- 代理机构: 中国航天科技专利中心
- 代理商 臧春喜
- 主分类号: C04B38/00
- IPC分类号: C04B38/00 ; C04B35/565 ; C04B35/622 ; C04B35/634 ; B01J32/00 ; B01J35/10 ; B01J27/224 ; B01J27/228
摘要:
本发明公开了一种高开孔率多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法,通过将具有耐高温、抗氧化的碳化硅短纤维与碳化硅陶瓷先驱体粘结剂混合,制成水浆料,真空抽滤成型得到湿坯,随后加热干燥并固化陶瓷先驱体,最后在惰性气氛下裂解,得到碳化硅陶瓷粘结碳化硅纤维的多孔碳化硅材料。本发明制备的多孔碳化硅材料具有开孔率高、比表面高、透气性好、机械强度高,抗热冲击、耐腐蚀等特点,可广泛用作高温及腐蚀性气氛下的过滤材料,也可以用作化学反应的载体材料以及高温隔热材料。
公开/授权文献
- CN105948781A 一种高开孔率多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法 公开/授权日:2016-09-21