发明公开
- 专利标题: 锗单晶生长炉及基于生长炉的锗单晶生长温度控制方法
- 专利标题(英): Germanium single crystal growth furnace and germanium single crystal growth temperature control method based on growth furnace
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申请号: CN201610495202.7申请日: 2016-06-30
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公开(公告)号: CN105951170A公开(公告)日: 2016-09-21
- 发明人: 董汝昆 , 李武芳 , 祝永成 , 何永彬 , 高云浩 , 金之生 , 杨小瑞 , 权忠朝
- 申请人: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
- 申请人地址: 云南省昆明市高新技术开发区新城高新技术产业基地B-5-5地块
- 专利权人: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司,昆明云锗高新技术有限公司,云南鑫耀半导体材料有限公司
- 当前专利权人: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司,昆明云锗高新技术有限公司,云南鑫耀半导体材料有限公司
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市高新技术开发区新城高新技术产业基地B-5-5地块
- 代理机构: 昆明祥和知识产权代理有限公司
- 代理商 张亦凡
- 主分类号: C30B11/00
- IPC分类号: C30B11/00 ; C30B29/08
摘要:
本发明涉及一种新材料制备技术领域,具体为一种锗单晶生长炉及基于生长炉的锗单晶生长温度控制方法,该装置垂直固定在底座上,其特征在于该生长炉采用圆柱形不锈钢炉体,炉体侧壁自下而上设置若干个加热电极,沿炉体内侧设置环形的保温材料;沿炉体中轴底部设置支撑系统,支撑系统上架设石英异型管,石英异型管内自下而上依次设置下层坩埚、中环、上层坩埚以及封帽,石英异型管上方覆盖石英棉。生长炉针对8英寸锗单晶生长特点,结构精妙,温区设计合理。
IPC分类: