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公开(公告)号：CN105951170A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610495202.7
申请日：2016-06-30
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/006 , C30B29/08
摘要： 本发明涉及一种新材料制备技术领域，具体为一种锗单晶生长炉及基于生长炉的锗单晶生长温度控制方法，该装置垂直固定在底座上，其特征在于该生长炉采用圆柱形不锈钢炉体，炉体侧壁自下而上设置若干个加热电极，沿炉体内侧设置环形的保温材料；沿炉体中轴底部设置支撑系统，支撑系统上架设石英异型管，石英异型管内自下而上依次设置下层坩埚、中环、上层坩埚以及封帽，石英异型管上方覆盖石英棉。生长炉针对8英寸锗单晶生长特点，结构精妙，温区设计合理。
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公开(公告)号：CN205915428U
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201620584184.5
申请日：2016-06-16
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 圆形石英棉切割工具，涉及一种切割工具，尤其是一种圆形石英棉切割工具。圆形石英棉切割工具，其特征在于该装置由手柄、管体、固定环和刀口构成，管体为中空圆柱形管材，手柄对称固定在管体的管壁之上，管体底端设置固定环，刀口通过固定螺丝安装在固定环底部。本实用新型的圆形石英棉切割工具，设计科学，结构简单，使用方便，简化了保温棉的制作过程，保温棉外形尺寸制作准确，提高了保温棉的制作效率。
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公开(公告)号：CN205774917U
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201620667264.7
申请日：2016-06-30
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种新材料制备技术领域，具体为一种锗单晶生长炉，垂直固定在底座上，其特征在于该生长炉采用圆柱形不锈钢炉体，炉体侧壁自下而上设置若干个加热电极，沿炉体内侧设置环形的保温材料；沿炉体中轴底部设置支撑系统，支撑系统上架设石英异型管，石英异型管内自下而上依次设置下层坩埚、中环、上层坩埚以及封帽，石英异型管上方覆盖石英棉。生长炉针对8英寸锗单晶生长特点，结构精妙，温区设计合理。
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公开(公告)号：CN205917343U
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201620584182.6
申请日：2016-06-16
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 可拆分VGF单晶生长坩埚中环，涉及一种装料装置部件，尤其是一种可拆分VGF单晶生长坩埚中环。可拆分VGF单晶生长坩埚中环，该中环放置于上层坩埚与下层坩埚中间，上层坩埚与下层坩埚放置在石英管内，其特征在于该中环由石英外环、石英斜面和石英横杆组成，石英斜面放置于石英外环内，石英斜面上设置石英横杆,石英横杆抵在石英管管壁上，起固定作用。可拆分VGF单晶生长坩埚中环，设计科学，使用方便，有效降低成本，并且由于石英斜面和石英横杆可以重复利用，大幅提高了单位时间内的加工效率，对企业提高效率、降低成本有重要作用。
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公开(公告)号：CN205688056U
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201620518771.4
申请日：2016-06-01
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： VGF锗单晶生长炉支撑底座，涉及一种底座，尤其是一种VGF锗单晶生长炉支撑底座。本实用新型的VGF锗单晶生长炉支撑底座，其特征在于该装置由横杆、底板、活动块、散热孔和细圆棒构成；底板通过内六角螺栓固定在两根横杆之间，活动块拼接在底板侧面，底板与活动块相对的一侧都具有一个半圆孔，两者通过外六角螺栓连接构成一个圆孔，底板中间设置散热孔，两根细圆棒通过U型卡槽固定在散热孔的两侧。本实用新型的VGF锗单晶生长炉支撑底座，在保证能平稳、牢固地支撑炉芯、石英管及炉套的情况下，也能固定好石英棒与测温热电偶，且安装方便，使用简单，稳固性好，散热性好，实用性高，适合用在不同尺寸的VGF炉中。
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公开(公告)号：CN216704328U
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202123342580.7
申请日：2021-12-28
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种晶片切割油的油渣分离装置，属于废弃物回收利用技术领域，包括炉体支架、反应炉、温度控制器、真空泵、冷凝装置、存储装置，反应炉设置于炉体支架上，且于反应炉加热位置设置温度控制器，所述反应炉顶侧开孔通过管道依次连接有真空泵、冷凝装置、存储装置，顶部设置密封盖，所述密封盖顶部架设倒置的漏斗形烟囱，漏斗形烟囱顶部开口，通过管道连接有空气过滤装置，所述反应炉和真空泵之间的连接管道上设置有过滤网，本实用新型能实现切割油和渣的分离，设备简单，回收效果好。
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公开(公告)号：CN105154978B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510659597.5
申请日：2015-10-14
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司
发明人： 卢纪军 , 包文东 , 李苏滨 , 惠峰 , 李雪峰 , 柳廷龙 , 李武芳 , 周一 , 杨海超 , 候振海 , 朱大清 , 董汝昆 , 何永彬 , 田东 , 马会宇 , 肖祥江 , 杨小瑞
摘要： 一种砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓多晶合成的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，其特征在于该生长方法利用砷化镓多晶磁场生长炉进行合成，砷化镓多晶磁场生长炉包括炉室和磁场装置，炉室呈圆柱形，嵌套于磁场装置中，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制多晶生长。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，降低了固液界面控制的难度，避免了砷泄漏现象的出现概率；提高了高纯砷和高纯镓原料的利用率。
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公开(公告)号：CN105154978A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510659597.5
申请日：2015-10-14
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司
发明人： 卢纪军 , 包文东 , 李苏滨 , 惠峰 , 李雪峰 , 柳廷龙 , 李武芳 , 周一 , 杨海超 , 候振海 , 朱大清 , 董汝昆 , 何永彬 , 田东 , 马会宇 , 肖祥江 , 杨小瑞
摘要： 一种砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓多晶合成的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，其特征在于该生长方法利用砷化镓多晶磁场生长炉进行合成，砷化镓多晶磁场生长炉包括炉室和磁场装置，炉室呈圆柱形，嵌套于磁场装置中，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制多晶生长。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，降低了固液界面控制的难度，避免了砷泄漏现象的出现概率；提高了高纯砷和高纯镓原料的利用率。
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公开(公告)号：CN105133019A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510659806.6
申请日：2015-10-14
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司
发明人： 卢纪军 , 包文东 , 李苏滨 , 惠峰 , 李雪峰 , 柳廷龙 , 李武芳 , 周一 , 杨海超 , 候振海 , 朱大清 , 董汝昆 , 何永彬 , 田东 , 马会宇 , 肖祥江 , 杨小瑞 , 祝永成
摘要： 一种多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓单晶生长，提高砷化镓单晶生长效率的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，该生长方法利用多室砷化镓单晶生长炉进行合成，多室砷化镓单晶生长炉包括四个独立的炉室和与炉室配套的纵向磁场装置，炉室嵌套在纵向磁场装置中，四个炉室的纵向磁场装置通过导线连成一体，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制单晶生长。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，实现多炉室同步的单晶生长，提高了单晶生长效率；使新长晶体遗传了晶种的完美结构，提高晶体质量。
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