锗单晶生长炉及基于生长炉的锗单晶生长温度控制方法
摘要:
本发明涉及一种新材料制备技术领域,具体为一种锗单晶生长炉及基于生长炉的锗单晶生长温度控制方法,该装置垂直固定在底座上,其特征在于该生长炉采用圆柱形不锈钢炉体,炉体侧壁自下而上设置若干个加热电极,沿炉体内侧设置环形的保温材料;沿炉体中轴底部设置支撑系统,支撑系统上架设石英异型管,石英异型管内自下而上依次设置下层坩埚、中环、上层坩埚以及封帽,石英异型管上方覆盖石英棉。生长炉针对8英寸锗单晶生长特点,结构精妙,温区设计合理。
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