发明授权
- 专利标题: 纯化有含磷杂质的高纯氢或高纯氯硅烷的方法
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申请号: CN201510586054.5申请日: 2015-09-15
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公开(公告)号: CN106517094B公开(公告)日: 2019-01-08
- 发明人: 吕学谦 , 银波 , 何隆 , 宋高杰 , 范协诚
- 申请人: 新特能源股份有限公司
- 申请人地址: 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市乌鲁木齐国家级高新技术产业开发区(新市区)甘泉堡高新技术产业园
- 专利权人: 新特能源股份有限公司
- 当前专利权人: 新特能源股份有限公司
- 当前专利权人地址: 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市乌鲁木齐国家级高新技术产业开发区(新市区)甘泉堡高新技术产业园
- 代理机构: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 罗建民; 邓伯英
- 主分类号: C01B3/50
- IPC分类号: C01B3/50 ; C01B33/107
摘要:
本发明公开了一种纯化有含磷杂质的高纯氢或高纯氯硅烷的方法,包括以下步骤:将有含磷杂质的高纯氢加热到500~800℃,所述高纯氢中的含磷杂质与氢气反应生成磷烷,再通过分子筛吸附所述磷烷,得到纯化过的高纯氢。通过将含磷杂质的高纯氢中的含磷杂质通过加热的方法转换成了磷烷,这样各种含磷杂质均还原反应生成了同一种物质磷烷,由于分子筛对通过其中的气体通过孔径的大小进行选择性吸附磷烷,从而提高了对于有含磷杂质的高纯氢中的磷烷的吸附能力,这样就大大提高了经过纯化过的高纯氢的纯度,进而提高了由纯化过的高纯氢作为原料生产出的多晶硅的品质,降低了多晶硅中的杂质含量。
公开/授权文献
- CN106517094A 纯化有含磷杂质的高纯氢或高纯氯硅烷的方法 公开/授权日:2017-03-22