公开(公告)号：CN113024593A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201911350687.0

申请日：2019-12-24

申请人： 新特能源股份有限公司

发明人： 刘兴平 ,  武珠峰 ,  银波 ,  范协诚 ,  何隆 ,  孙永仕

IPC分类号： C07F7/12

摘要： 一种二甲基二氯硅烷的制备方法、由该方法所制备的二甲基二氯硅烷及制备该二甲基二氯硅烷的装置。所述方法包括：S110，将包括二氯二氢硅的原料气化以得到第一气体；S120，将氯甲烷气化以得到第二气体；S130，将第一气体与第二气体混合；S140，将混合气体通入反应器中进行反应得到反应产物；以及S150，将反应产物进行精馏提纯，获得二甲基二氯硅烷。本发明的制备方法采用二氯二氢硅为原料，实现了二氯二氢硅的高值化利用。

公开(公告)号：CN112300205A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201910707640.9

申请日：2019-08-01

申请人： 新特能源股份有限公司

发明人： 武珠峰 ,  刘兴平 ,  银波 ,  范协诚 ,  宋高杰 ,  何隆

IPC分类号： C07F7/14

摘要： 本发明公开一种制备甲基氯硅烷方法，包括取氯硅烷、甲烷为原料，对所述原料分别进行预处理，并混合，将混合后的原料在反应器中加热条件下，反应生成甲基氯硅烷。本发明还公开一种制备甲基氯硅烷的装置，包括：第一缓冲罐，设有第一进料管线，用于放置氯硅烷；第二缓冲罐，设有第二进料管线，用于放置甲烷；反应器，与所述第一缓冲罐和所述第二缓冲罐连接，用于氯硅烷和甲烷进行反应；加热器件，包括第一加热器、第二加热器、第三加热器，分别用于对第一缓冲罐、第二缓冲罐、反应器进行加热。本发明的原料易得，工艺操作简单，有利于降低甲基氯硅烷的生产成本。

公开(公告)号：CN113387362B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202110500459.8

申请日：2021-05-08

申请人： 内蒙古新特硅材料有限公司 ,  新特能源股份有限公司

发明人： 武珠峰 ,  宋高杰 ,  高镇熙 ,  刘兴平 ,  宋正平 ,  吴昌勇 ,  何隆

IPC分类号： C01B33/107

摘要： 本发明公开了一种改进的冷氢化合成三氯氢硅的方法及装置，该方法包括以下步骤：1)将预热过的四氯化硅、氢气、氯化氢，与过量的硅粉混合，发生氯化反应，主要生成三氯氢硅，得到第一气相混合物；2)将第一气相混合物进行气固分离，将气固分离得到的固体排出，将气固分离得到的气相进行加热，与过量的硅粉混合，发生冷氢化反应，主要生成三氯氢硅，得到第二气相混合物。本发明中的方法促使氯化氢与硅粉反应过程中反应向生成三氯氢硅方向移动，提高了氯化反应过程中三氯氢硅的转化率，提高了整个方法中的四氯化硅转化为三氯氢硅的单程转化率。氯化反应过程中反应热作为热源对混合气进行加热，减少冷氢化反应系统的补热量，降低冷氢化系统的能耗。

公开(公告)号：CN113387362A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110500459.8

申请日：2021-05-08

申请人： 内蒙古新特硅材料有限公司 ,  新特能源股份有限公司

发明人： 武珠峰 ,  宋高杰 ,  高镇熙 ,  刘兴平 ,  宋正平 ,  吴昌勇 ,  何隆

IPC分类号： C01B33/107

摘要： 本发明公开了一种改进的冷氢化合成三氯氢硅的方法及装置，该方法包括以下步骤：1)将预热过的四氯化硅、氢气、氯化氢，与过量的硅粉混合，发生氯化反应，主要生成三氯氢硅，得到第一气相混合物；2)将第一气相混合物进行气固分离，将气固分离得到的固体排出，将气固分离得到的气相进行加热，与过量的硅粉混合，发生冷氢化反应，主要生成三氯氢硅，得到第二气相混合物。本发明中的方法促使氯化氢与硅粉反应过程中反应向生成三氯氢硅方向移动，提高了氯化反应过程中三氯氢硅的转化率，提高了整个方法中的四氯化硅转化为三氯氢硅的单程转化率。氯化反应过程中反应热作为热源对混合气进行加热，减少冷氢化反应系统的补热量，降低冷氢化系统的能耗。

公开(公告)号：CN108996546A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201810974696.6

申请日：2018-08-24

申请人： 新特能源股份有限公司 ,  新疆晶硕新材料有限公司

发明人： 武珠峰 ,  银波 ,  范协诚 ,  黄彬 ,  刘兴平 ,  孙永仕 ,  何隆

IPC分类号： C01G25/04 ,  C01B33/113

CPC分类号： C01G25/04 ,  C01B33/113 ,  C01P2006/80

摘要： 本发明公开了一种四氯化锆与氧化亚硅联产的方法及装置，该方法包括以下步骤：1)将锆英砂与硅混合，真空条件下，加热，锆英砂中的二氧化硅与硅反应生成气化的氧化亚硅，锆英砂中的二氧化硅反应后余下固体剩余物；2)将固体剩余物与氯气、碳质还原剂混合，加热，固体剩余物中的氧化锆与氯气、碳质还原剂反应，生成四氯化锆。本发明中的方法在真空下加热，使得锆英砂中的二氧化硅生成氧化亚硅，可简化后续的尾气分离系统，得到了高附加值的氧化亚硅产品，实现了锆英砂中的硅资源的高值化利用，同时大大简化了四氯化锆的生产流程，有效降低了生产成本及提高了产品品质。

公开(公告)号：CN114011451B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202111445314.9

申请日：2021-11-30

申请人： 新特能源股份有限公司

发明人： 吕学谦 ,  顾宗珍 ,  闵中龙 ,  王文 ,  何隆 ,  范协诚 ,  银波

IPC分类号： B01J27/24 ,  B01J35/02 ,  B01J35/10 ,  C01B33/107

摘要： 本发明提供一种铜硅系催化剂及其制备方法，所述铜硅系催化剂中包括：载体和活性组分；其中，所述活性组分为硅‑铜系多元合金，所述硅‑铜系多元合金中包括Cu元素和Si元素，还包括M元素，所述M元素指Cr、Ni、Mo、Ti、Zr、Ce、La、Sc中的至少一种。本发明中的铜硅系催化剂的活性组分晶粒细小，有效增加界面缺陷活性中心和硅‑铜相界面。所述催化剂应用于冷氢化反应过程中，四氯化硅直接与催化剂中的活性组分硅‑铜相发生反应，使得催化反应时间大幅缩短，因而可以有效的提高催化反应速率及转化率。

公开(公告)号：CN112300205B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201910707640.9

申请日：2019-08-01

申请人： 新特能源股份有限公司

发明人： 武珠峰 ,  刘兴平 ,  银波 ,  范协诚 ,  宋高杰 ,  何隆

IPC分类号： C07F7/14

摘要： 本发明公开一种制备甲基氯硅烷方法，包括取氯硅烷、甲烷为原料，对所述原料分别进行预处理，并混合，将混合后的原料在反应器中加热条件下，反应生成甲基氯硅烷。本发明还公开一种制备甲基氯硅烷的装置，包括：第一缓冲罐，设有第一进料管线，用于放置氯硅烷；第二缓冲罐，设有第二进料管线，用于放置甲烷；反应器，与所述第一缓冲罐和所述第二缓冲罐连接，用于氯硅烷和甲烷进行反应；加热器件，包括第一加热器、第二加热器、第三加热器，分别用于对第一缓冲罐、第二缓冲罐、反应器进行加热。本发明的原料易得，工艺操作简单，有利于降低甲基氯硅烷的生产成本。

公开(公告)号：CN115364530B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202211109553.1

申请日：2022-09-13

申请人： 新特能源股份有限公司 ,  新疆新特晶体硅高科技有限公司

发明人： 邵威 ,  黄金锋 ,  苏国良 ,  潘从伟 ,  何隆 ,  高霞 ,  薛曾恩

IPC分类号： B01D21/02 ,  B01D21/24

摘要： 本发明公开一种多晶硅渣浆沉降装置，包括沉降罐和沉降机构。沉降罐开设有进料法兰口、出料法兰口和出清液法兰口。进料法兰口位于沉降罐的侧壁上，供渣浆进料。出料法兰口位于沉降罐的罐底上，供沉降分离的硅粉出料。出清液法兰口位于沉降罐的侧壁上，且其位置高于进料法兰口，供分离硅粉后的清液流出。沉降机构设置于沉降罐内部，并位于进料法兰口和出清液法兰口之间，沉降机构具有多条上下贯通的流道，流道倾斜设置，用于供渣浆流通并将渣浆的液流分隔为多个薄层，使每个渣浆薄层中的硅粉沿着倾斜的流道壁聚集沉降，并落到沉降罐底部，以分离出硅粉。因此，本多晶硅渣浆沉降装置能够使渣浆中的硅粉快速沉降，以提高清液与硅粉的分离效率。

公开(公告)号：CN106517094B

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201510586054.5

申请日：2015-09-15

申请人： 新特能源股份有限公司

发明人： 吕学谦 ,  银波 ,  何隆 ,  宋高杰 ,  范协诚

IPC分类号： C01B3/50 ,  C01B33/107

摘要： 本发明公开了一种纯化有含磷杂质的高纯氢或高纯氯硅烷的方法，包括以下步骤：将有含磷杂质的高纯氢加热到500～800℃，所述高纯氢中的含磷杂质与氢气反应生成磷烷，再通过分子筛吸附所述磷烷，得到纯化过的高纯氢。通过将含磷杂质的高纯氢中的含磷杂质通过加热的方法转换成了磷烷，这样各种含磷杂质均还原反应生成了同一种物质磷烷，由于分子筛对通过其中的气体通过孔径的大小进行选择性吸附磷烷，从而提高了对于有含磷杂质的高纯氢中的磷烷的吸附能力，这样就大大提高了经过纯化过的高纯氢的纯度，进而提高了由纯化过的高纯氢作为原料生产出的多晶硅的品质，降低了多晶硅中的杂质含量。

公开(公告)号：CN108793246A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810916610.4

申请日：2018-08-13

申请人： 新特能源股份有限公司 ,  新疆晶硕新材料有限公司

发明人： 武珠峰 ,  范协诚 ,  银波 ,  黄彬 ,  刘兴平 ,  孙永仕 ,  何隆

IPC分类号： C01G25/04

CPC分类号： C01G25/04

摘要： 本发明公开了一种改进的四氯化锆的制备方法及四氯化锆，该方法包括以下步骤：1)锆英砂中含有金属氧化物杂质，除去锆英砂中的金属氧化物杂质，得到提纯的锆英砂；2)将提纯的锆英砂与碳质还原剂、氯气加热，反应生成四氯化锆、四氯化硅、一氧化碳、二氧化碳。分离出四氯化锆。本发明中的制备方法，先将锆英砂中的金属氧化物杂质除掉，然后再与碳质还原剂、氯气反应，大大降低了得到的四氯化锆产品中金属杂质的氯化物的含量，避免了金属杂质的氯化物混入到生成的四氯化锆产品中，从而提高了四氯化锆产品纯度，省去了除去金属杂质的氯化物的步骤，降低了后端分离系统进行分离提纯的难度，提高了四氯化锆产品纯度和品质，且提高了后端产品的品质。