发明公开
- 专利标题: 金刚石单晶表面金属化处理的方法
- 专利标题(英): Diamond single crystal surface metallization treatment method
-
申请号: CN201710105208.3申请日: 2017-02-25
-
公开(公告)号: CN106835054A公开(公告)日: 2017-06-13
- 发明人: 于盛旺 , 郑可 , 鲁明杰 , 高洁 , 李亮亮 , 王洪孔 , 任咪娜
- 申请人: 太原理工大学
- 申请人地址: 山西省太原市迎泽西大街79号
- 专利权人: 太原理工大学
- 当前专利权人: 山西国脉金晶碳基半导体材料产业研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 山西省太原市迎泽西大街79号
- 代理机构: 太原倍智知识产权代理事务所
- 代理商 骆洋
- 主分类号: C23C14/48
- IPC分类号: C23C14/48 ; C23C14/18
摘要:
本发明公布了一种金刚石单晶表面金属化处理的方法,该方法通过以下步骤实现:使用双辉等离子体渗金属技术,以Fe、Co或Ni作为源极靶材,轰击溅射金刚石单晶表面;然后使用酸溶液浸泡单晶去除残留的金属以及石墨;最后再使用双辉等离子体渗金属技术,以强碳化物金属作为靶材在上述金刚石单晶表面制备金属渗镀涂层。本发明通过利用双辉等离子体的轰击溅射作用和Fe、Co、Ni等铁族金属的石墨化催化作用,在单晶表面形成均匀分布的微坑,使表面粗化、活化,再利用强碳化物金属元素与金刚石表面部分碳原子反应形成化学键结合,提高表面金属化涂层与单晶金刚石的结合强度。轰击刻蚀与金属化处理使用一种装置即可完成,工艺简单、成本低,适合工业化生产。
公开/授权文献
- CN106835054B 金刚石单晶表面金属化处理的方法 公开/授权日:2019-03-29
IPC分类: