等离子体化学气相沉积微波谐振腔及装置

    公开(公告)号:CN106987827B

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201710244250.3

    申请日:2017-04-14

    Abstract: 本发明为一种等离子体化学气相沉积微波谐振腔,达到了提高谐振腔聚焦能力和配置灵活性的目的。该谐振腔包括两个顶部相交的等腰三角形布尔并集运算后形成的回转体,其中等腰三角形的底边边长为2nλ~(2n+0.5)λ,底角为50°~75°,两个等腰三角形的底边长相等或相差nλ,上等腰三角形的重心与下等腰三角形的重心间距为0~4/5λ,其中λ为微波波长。本发明利用了电磁波的反射和干涉原理,通过调节上、下等腰三角形的底边长、底边角度以及二者之间的中心距离形成强聚焦电场。同时,该谐振腔能够根据具体的应用选择不同的介质窗口、微波耦合方式以及反应气体进出方式,具有结构简单、方便灵活等特点。

    高磨耗比、高断裂强度微米金刚石厚膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN108611638A

    公开(公告)日:2018-10-02

    申请号:CN201810580017.7

    申请日:2018-06-07

    Abstract: 本发明为一种高磨耗比、高断裂强度微米金刚石厚膜及其制备方法,属于超硬材料制备技术领域。本发明厚膜由紧密连接的多层微米金刚石膜层和多层金属膜层复合而成的,微米金刚石膜层和金属膜层依次间隔设置,且最顶层和最底层都为微米金刚石膜层;微米金刚石膜中(110)晶粒取向占优,晶粒尺寸为10-200μm,膜厚度为50-200μm;金属膜层的厚度为1-10μm。制备时,采用化学气相沉积方法沉积金刚石膜层,采用薄膜合成方法制备金属膜层。本发明通过添加金属膜层阻断微米金刚石晶粒的长大,使后续的金刚石在金属层表面重新形核并生长。最终获得的金刚石厚膜主要由细小晶粒(110)取向占优的微米金刚石构成,具有高的磨耗比和高的断裂强度。

    金刚石单晶表面金属化处理的方法

    公开(公告)号:CN106835054A

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201710105208.3

    申请日:2017-02-25

    CPC classification number: C23C14/48 C23C14/18

    Abstract: 本发明公布了一种金刚石单晶表面金属化处理的方法,该方法通过以下步骤实现:使用双辉等离子体渗金属技术,以Fe、Co或Ni作为源极靶材,轰击溅射金刚石单晶表面;然后使用酸溶液浸泡单晶去除残留的金属以及石墨;最后再使用双辉等离子体渗金属技术,以强碳化物金属作为靶材在上述金刚石单晶表面制备金属渗镀涂层。本发明通过利用双辉等离子体的轰击溅射作用和Fe、Co、Ni等铁族金属的石墨化催化作用,在单晶表面形成均匀分布的微坑,使表面粗化、活化,再利用强碳化物金属元素与金刚石表面部分碳原子反应形成化学键结合,提高表面金属化涂层与单晶金刚石的结合强度。轰击刻蚀与金属化处理使用一种装置即可完成,工艺简单、成本低,适合工业化生产。

    金刚石单晶表面金属化处理的方法

    公开(公告)号:CN106835054B

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201710105208.3

    申请日:2017-02-25

    Abstract: 本发明公布了一种金刚石单晶表面金属化处理的方法,该方法通过以下步骤实现:使用双辉等离子体渗金属技术,以Fe、Co或Ni作为源极靶材,轰击溅射金刚石单晶表面;然后使用酸溶液浸泡单晶去除残留的金属以及石墨;最后再使用双辉等离子体渗金属技术,以强碳化物金属作为靶材在上述金刚石单晶表面制备金属渗镀涂层。本发明通过利用双辉等离子体的轰击溅射作用和Fe、Co、Ni等铁族金属的石墨化催化作用,在单晶表面形成均匀分布的微坑,使表面粗化、活化,再利用强碳化物金属元素与金刚石表面部分碳原子反应形成化学键结合,提高表面金属化涂层与单晶金刚石的结合强度。轰击刻蚀与金属化处理使用一种装置即可完成,工艺简单、成本低,适合工业化生产。

    等离子体化学气相沉积微波谐振腔及装置

    公开(公告)号:CN106987827A

    公开(公告)日:2017-07-28

    申请号:CN201710244250.3

    申请日:2017-04-14

    CPC classification number: C23C16/511

    Abstract: 本发明为一种等离子体化学气相沉积微波谐振腔,达到了提高谐振腔聚焦能力和配置灵活性的目的。该谐振腔包括两个顶部相交的等腰三角形布尔并集运算后形成的回转体,其中等腰三角形的底边边长为2nλ~(2n+0.5)λ,底角为50°~75°,两个等腰三角形的底边长相等或相差nλ,上等腰三角形的重心与下等腰三角形的重心间距为0~4/5λ,其中λ为微波波长。本发明利用了电磁波的反射和干涉原理,通过调节上、下等腰三角形的底边长、底边角度以及二者之间的中心距离形成强聚焦电场。同时,该谐振腔能够根据具体的应用选择不同的介质窗口、微波耦合方式以及反应气体进出方式,具有结构简单、方便灵活等特点。

    高磨耗比、高断裂强度微米金刚石厚膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN108611638B

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201810580017.7

    申请日:2018-06-07

    Abstract: 本发明为一种高磨耗比、高断裂强度微米金刚石厚膜及其制备方法,属于超硬材料制备技术领域。本发明厚膜由紧密连接的多层微米金刚石膜层和多层金属膜层复合而成的,微米金刚石膜层和金属膜层依次间隔设置,且最顶层和最底层都为微米金刚石膜层;微米金刚石膜中(110)晶粒取向占优,晶粒尺寸为10‑200μm,膜厚度为50‑200μm;金属膜层的厚度为1‑10μm。制备时,采用化学气相沉积方法沉积金刚石膜层,采用薄膜合成方法制备金属膜层。本发明通过添加金属膜层阻断微米金刚石晶粒的长大,使后续的金刚石在金属层表面重新形核并生长。最终获得的金刚石厚膜主要由细小晶粒(110)取向占优的微米金刚石构成,具有高的磨耗比和高的断裂强度。

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