- 专利标题: 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板
- 专利标题(英): Thin-film transistor, preparation method thereof, array substrate and display device
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申请号: CN201710086370.5申请日: 2017-02-17
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公开(公告)号: CN106876386A公开(公告)日: 2017-06-20
- 发明人: 高吉磊 , 蒋学兵 , 孙松梅 , 吴鹏 , 赵剑 , 张杨 , 陈沫
- 申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号;
- 专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,合肥鑫晟光电科技有限公司
- 当前专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,合肥鑫晟光电科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号;
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 彭久云; 王晓燕
- 主分类号: H01L27/02
- IPC分类号: H01L27/02 ; H01L27/12 ; H01L29/786 ; H01L21/336
摘要:
一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板。该薄膜晶体管包括:衬底基板;以及设置于所述衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、有源层、和源漏电极层,所述源漏电极层包括源电极和漏电极,其中所述薄膜晶体管还包括设置在所述有源层周围的挡光层。该挡光层设置在有源层的周围,可以防止有源层的侧表面受到光的照射,从而减小因光照射有源层产生的光生载流子导致的薄膜晶体管漏电流。
公开/授权文献
- CN106876386B 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板 公开/授权日:2019-12-20
IPC分类: