衬底处理装置及半导体器件的制造方法
摘要:
本发明提供一种能够抑制由热导致的移载室的延伸的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。其具有:处理室,对衬底进行处理;轴,设置于移载室;衬底载置台,与轴连接,并具有加热部;第一隔热部,设置于移载室的壁的处理室侧;第二隔热部,设置于轴的衬底载置台侧。
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