发明公开
- 专利标题: 衬底处理装置及半导体器件的制造方法
- 专利标题(英): Substrate Processing Apparatus And Manufacturing Metohd Of Semiconductor Device
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申请号: CN201610154146.0申请日: 2016-03-17
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公开(公告)号: CN106920760A公开(公告)日: 2017-07-04
- 发明人: 柳泽爱彦 , 上野正昭 , 大桥直史
- 申请人: 株式会社日立国际电气
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 株式会社日立国际电气
- 当前专利权人: 株式会社国际电气
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 杨宏军; 李文屿
- 优先权: 2015-253778 20151225 JP
- 主分类号: H01L21/67
- IPC分类号: H01L21/67
摘要:
本发明提供一种能够抑制由热导致的移载室的延伸的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。其具有:处理室,对衬底进行处理;轴,设置于移载室;衬底载置台,与轴连接,并具有加热部;第一隔热部,设置于移载室的壁的处理室侧;第二隔热部,设置于轴的衬底载置台侧。
公开/授权文献
- CN106920760B 衬底处理装置及半导体器件的制造方法 公开/授权日:2020-07-14