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公开(公告)号：CN106920760A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201610154146.0
申请日：2016-03-17
申请人： 株式会社日立国际电气
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供一种能够抑制由热导致的移载室的延伸的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。其具有：处理室，对衬底进行处理；轴，设置于移载室；衬底载置台，与轴连接，并具有加热部；第一隔热部，设置于移载室的壁的处理室侧；第二隔热部，设置于轴的衬底载置台侧。
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公开(公告)号：CN105981135A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580007784.3
申请日：2015-03-25
申请人： 株式会社日立国际电气
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/683 , C23C16/44
CPC分类号： H01L21/67069 , H01L21/3065 , H01L21/32135 , H01L21/67017 , H01L21/67109 , H01L21/67253 , H01L21/67745 , H01L21/68742
摘要： 本发明提供一种结构，具有：处理室，其对至少表面的一部分上形成有硅膜的衬底进行处理；升降机构，其使载置上述衬底的衬底载置部升降；第1气体供给系统，其将含卤族元素的处理气体向上述衬底供给；第2气体供给系统，其将非活性气体向上述衬底供给，其中非活性气体用于将上述处理气体向上述处理室外排出；排气部，其为了对上述处理气体及上述非活性气体进行排气而设在上述处理室的侧壁附近；和控制部，其以如下方式对上述升降机构、上述第1气体供给系统及上述第2气体供给系统进行控制：在调整了上述衬底载置部和上述排气部的高度的状态下，供给上述处理气体，在供给了上述处理气体后，将上述非活性气体从上述衬底的上部向上述衬底的中心部供给，使上述非活性气体在上述衬底的表面上从上述衬底的中心部呈放射状流动至上述衬底的端部，经由上述排气部被排出到上述处理室外。
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公开(公告)号：CN105321847A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410459438.6
申请日：2014-09-10
申请人： 株式会社日立国际电气
CPC分类号： C23C16/4585 , B05C9/14 , B05C11/1015 , C23C16/4411 , C23C16/45525 , C23C16/45582 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C23C16/463 , C23C16/52 , H01L21/67248 , H05B1/0233
摘要： 本发明涉及衬底处理装置以及衬底的生产方法，解决了如下问题：衬底载置部外周的热由构成气体分散通道的壁吸收，结果，难以使衬底面内的温度均匀。具有：腔室盖部，具有第一加热机构；衬底载置部，靠近该腔室盖部，并具有用于加热衬底的第二加热机构；处理容器，至少由所述腔室盖部和所述衬底载置部构成；控制部，在所述第二加热机构加热所述衬底载置部时，控制所述第一加热机构从而抑制来自所述第二加热机构的热能从所述衬底载置部向所述腔室盖部热传递。
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公开(公告)号：CN105321847B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201410459438.6
申请日：2014-09-10
申请人： 株式会社日立国际电气
CPC分类号： C23C16/4585 , B05C9/14 , B05C11/1015 , C23C16/4411 , C23C16/45525 , C23C16/45582 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C23C16/463 , C23C16/52 , H01L21/67248 , H05B1/0233
摘要： 本发明涉及衬底处理装置以及衬底的生产方法，解决了如下问题：衬底载置部外周的热由构成气体分散通道的壁吸收，结果，难以使衬底面内的温度均匀。具有：腔室盖部，具有第一加热机构；衬底载置部，靠近该腔室盖部，并具有用于加热衬底的第二加热机构；处理容器，至少由所述腔室盖部和所述衬底载置部构成；控制部，在所述第二加热机构加热所述衬底载置部时，控制所述第一加热机构从而抑制来自所述第二加热机构的热能从所述衬底载置部向所述腔室盖部热传递。
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