描述了形成在全局隔离或局部隔离的衬底上的三维的锗基半导体器件。例如，半导体器件包括半导体衬底。绝缘结构被设置在所述半导体衬底上方。三维含锗基体被设置在半导体释放层上，所述半导体释放层被设置在所述绝缘结构上。所述三维含锗基基体包括沟道区和在所述沟道区的任一侧上的源极区/漏极区。所述半导体释放层在所述源极区/漏极区下方，但不在所述沟道区下方。所述半导体释放层由与所述三维含锗基体的材料不同的半导体材料构成。栅极电极叠置体包围所述沟道区，其中，栅极电极叠置体的一部分被设置在所述绝缘结构上并横向相邻于所述半导体释放层。