发明授权
- 专利标题: 一种薄膜传感器用复合绝缘层及其制备方法
-
申请号: CN201710136413.6申请日: 2017-03-09
-
公开(公告)号: CN107012425B公开(公告)日: 2020-02-14
- 发明人: 蒋洪川 , 雷康 , 王洪敏 , 赵晓辉 , 蒋书文 , 张万里
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 电子科技大学专利中心
- 代理商 甘茂
- 主分类号: C23C14/08
- IPC分类号: C23C14/08 ; C23C14/34
摘要:
本发明属于传感器技术领域,提供一种薄膜传感器用复合绝缘层及其制备方法,用以克服现有技术中由于绝缘层与敏感功能层热膨胀系数失配导致功能层高温附着力差的难题;本发明复合绝缘层由自下而上依次重叠的热生长Al2O3层和SiAlO成分梯度层组成,沿薄膜生长方向,所述SiAlO成分梯度层的成分中硅含量递增、同时铝含量递减。本发明复合梯度绝缘层的热膨胀系数可随成分的渐变而发生渐变,实现与不同敏感功能层材料热膨胀系数匹配的需要,减小绝缘层与敏感功能层之间因热膨胀系数失配而产生热应力,提高薄膜传感器的附着力;在高温条件下,可有效保证薄膜传感器的可靠性和稳定性,降低器件的失效几率,延长薄膜传感器的使用寿命。
公开/授权文献
- CN107012425A 一种薄膜传感器用复合绝缘层及其制备方法 公开/授权日:2017-08-04
IPC分类: