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公开(公告)号：CN104789926B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201510104491.9
申请日：2015-03-10
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
摘要： 本发明提供了一种金属基薄膜传感器的制备方法，属于传感器生产技术及薄膜科学与技术领域。本发明在电子束蒸发沉积Al2O3绝缘层后，采用高压蒸汽封闭法处理Al2O3绝缘层，即将带Al2O3绝缘层的复合基板放入装有去离子水的反应釜内，在温度为100～200℃、反应釜内气压为1～10atm的条件下处理5～50min，取出并干燥，然后再进行薄膜传感器功能层及Al2O3保护层的制备。本发明通过对Al2O3绝缘层进行高压蒸汽封闭法处理，有效提高了Al2O3绝缘层的致密性和绝缘性能，有效防止了贵金属功能层与合金基板的导通现象，降低了期间的实效几率，有助于延长薄膜传感器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN104789926A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510104491.9
申请日：2015-03-10
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
摘要： 本发明提供了一种金属基薄膜传感器的制备方法，属于传感器生产技术及薄膜科学与技术领域。本发明在电子束蒸发沉积Al2O3绝缘层后，采用高压蒸汽封闭法处理Al2O3绝缘层，即将带Al2O3绝缘层的复合基板放入装有去离子水的反应釜内，在温度为100～200℃、反应釜内气压为1～10atm的条件下处理5～50min，取出并干燥，然后再进行薄膜传感器功能层及Al2O3保护层的制备。本发明通过对Al2O3绝缘层进行高压蒸汽封闭法处理，有效提高了Al2O3绝缘层的致密性和绝缘性能，有效防止了贵金属功能层与合金基板的导通现象，降低了期间的实效几率，有助于延长薄膜传感器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN104726862A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510104153.5
申请日：2015-03-10
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
摘要： 本发明提出了一种带复合绝缘层的金属基薄膜传感器及其制备方法，属于薄膜传感器的设计及制备技术领域。所述带复合绝缘层的金属基薄膜传感器从下往上依次为合金基板、NiCrAlY合金过渡层、Al2O3热生长层、非晶YAlO过渡层、Al2O3绝缘层、薄膜传感器功能层、Al2O3保护层，其中，非晶YAlO过渡层为氧化钇和氧化铝组成的非晶YAlO薄膜，氧化钇与氧化铝的摩尔比为1：(1～20)。本发明的非晶YAlO过渡层能改善薄膜传感器绝缘层的附着力和绝缘性能，降低器件的失效几率，为薄膜传感器在高温恶劣的环境中工作提供了更高的可靠性。
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公开(公告)号：CN105970168B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201610524876.5
申请日：2016-07-04
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
摘要： 一种薄膜传感器用复合绝缘层，属于薄膜传感器技术领域。包括四层结构，自下而上依次为非晶Al‑O‑N扩散阻挡层、Al‑O‑N至Al2O3过渡层、电子束蒸发Al2O3薄膜层、微晶Al2O3氧扩散阻挡层。本发明复合绝缘层中的非晶Al‑O‑N薄膜致密性好且呈非晶状态，对金属原子具有良好的扩散阻挡效果；过渡层能有效改善非晶Al‑O‑N层与Al2O3层间的附着力；Al2O3薄膜层之上的微晶层在高温下能有效阻止外界氧原子扩散进入Al‑O‑N层，保持了高温富氧环境中Al‑O‑N薄膜的非晶状态，使得复合绝缘层在高温富氧的工作环境中依然具有良好的绝缘性，有效保证了薄膜传感器在高温环境中的稳定性和使用寿命。
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公开(公告)号：CN104726862B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201510104153.5
申请日：2015-03-10
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
摘要： 本发明提出了一种带复合绝缘层的金属基薄膜传感器及其制备方法，属于薄膜传感器的设计及制备技术领域。所述带复合绝缘层的金属基薄膜传感器从下往上依次为合金基板、NiCrAlY合金过渡层、Al2O3热生长层、非晶YAlO过渡层、Al2O3绝缘层、薄膜传感器功能层、Al2O3保护层，其中，非晶YAlO过渡层为氧化钇和氧化铝组成的非晶YAlO薄膜，氧化钇与氧化铝的摩尔比为1：(1～20)。本发明的非晶YAlO过渡层能改善薄膜传感器绝缘层的附着力和绝缘性能，降低器件的失效几率，为薄膜传感器在高温恶劣的环境中工作提供了更高的可靠性。
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公开(公告)号：CN106370247A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610804131.4
申请日：2016-09-06
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
CPC分类号： G01F1/692 , B81C1/00015 , G01F1/684 , G01F1/6845
摘要： 一种基于聚合物的流量传感器及其制备方法，属于流量传感器技术领域。自下而上依次为支撑层、柔性衬底、薄膜电阻层、柔性覆盖层，所述薄膜电阻层包括加热电阻、下风向测量电阻和上风向测量电阻，所述支撑层面向柔性衬底的一面开有凹槽，凹槽位于加热电阻、下风向测量电阻和上风向测量电阻的正下方。本发明流量传感器采用柔性衬底作为载体，通过位于衬底下方的带凹槽的支撑层减小热传导，柔性衬底作为流量传感器的载体，可有效提高传感器表面薄膜结构的强度，不易破碎塌陷，且耐低温、耐酸，大大提高了流量传感器的适用范围；本发明流量传感器采用聚合物支撑层代替传统的硅基板，省略了氮化硅的生长与刻蚀等过程，减小了工艺难度和成本。
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公开(公告)号：CN106225959A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610545724.3
申请日：2016-07-04
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
CPC分类号： G01K17/08 , G01K7/16 , G01K17/006
摘要： 一种柔性薄膜热流传感器，属于薄膜传感器的设计及制备技术领域。自下而上依次为下封装层、冷端温度敏感薄膜电阻对、柔性衬底、热端温度敏感薄膜电阻对和上封装层，所述柔性衬底中设置贯穿柔性衬底的电极，用于将冷端温度敏感薄膜电阻对和热端温度敏感薄膜电阻对形成一个惠斯通电桥，冷端温度敏感薄膜电阻对和热端温度敏感薄膜电阻对中的电阻的阻值为10-1000Ω。本发明热流传感器中温度敏感薄膜电阻的厚度非常小，具有更快的响应速度，响应时间大约为0.1s；本发明热流传感器采用柔性衬底作为传感器的载体，可以实现与异构件表面的紧密贴合，进而实现对异构件表面热流的精准测量，大大提高了薄膜热流传感器的适用范围。
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公开(公告)号：CN105970168A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610524876.5
申请日：2016-07-04
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
摘要： 一种薄膜传感器用复合绝缘层，属于薄膜传感器技术领域。包括四层结构，自下而上依次为非晶Al‑O‑N扩散阻挡层、Al‑O‑N至Al2O3过渡层、电子束蒸发Al2O3薄膜层、微晶Al2O3氧扩散阻挡层。本发明复合绝缘层中的非晶Al‑O‑N薄膜致密性好且呈非晶状态，对金属原子具有良好的扩散阻挡效果；过渡层能有效改善非晶Al‑O‑N层与Al2O3层间的附着力；Al2O3薄膜层之上的微晶层在高温下能有效阻止外界氧原子扩散进入Al‑O‑N层，保持了高温富氧环境中Al‑O‑N薄膜的非晶状态，使得复合绝缘层在高温富氧的工作环境中依然具有良好的绝缘性，有效保证了薄膜传感器在高温环境中的稳定性和使用寿命。
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公开(公告)号：CN116855898A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310810251.5
申请日：2023-07-03
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于薄膜传感器设计与生产技术领域，具体为一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用过渡层及其制备方法。是利用Zr元素在高温环境下的扩散作用，使ZrC薄膜中Zr元素向C/SiC复合材料基底方向扩散，形成从上至下Zr含量逐渐减少、C含量逐渐增加的ZrxC1‑x不定形陶瓷相，以此作为渐变陶瓷层，实现由C/SiC复合材料的低热膨胀系数到ZrC的高热膨胀系数的过渡。利用ZrSi2在1400℃以上高温下氧化，产生具有SiO2‑ZrSiO4玻璃相陶瓷的自修复效应，修复ZrSi2薄膜在高温氧化过程中产生的空洞以及微裂纹，实现传感器抗热震、抗热蚀性能的提升，提高绝缘层的抗热震性能和传感器的高温稳定性。
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公开(公告)号：CN113755793B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110993606.X
申请日：2021-08-27
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种薄膜传感器用抗氧化自修复防护层，属于薄膜传感器技术领域。所述自修复防护层包括依次设置于敏感功能层之上的Y‑Al‑O薄膜、Si3N4薄膜和Al2O3薄膜；其中，所述Y‑Al‑O薄膜的厚度为50‑500nm，Si3N4薄膜的厚度为0.5‑2.0μm，Al2O3薄膜的厚度为1‑5μm。本发明利用Y‑Al‑O/Si3N4薄膜在高温下形成Y‑Al‑Si‑O‑N玻璃相陶瓷的自修复效应，在1200℃以上的高温环境中对传感器防护层薄膜产生的微裂纹、空洞以及其他晶体缺陷进行修复，提升高温环境下传感器的抗氧化、抗蠕变、抗热震和抗热蚀性能。
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