发明公开
- 专利标题: 一种基于NMOS管的栅压自举开关电路
- 专利标题(英): Grid voltage bootstrapping switch circuit based on NMOS tube
-
申请号: CN201710586131.6申请日: 2017-07-18
-
公开(公告)号: CN107370487A公开(公告)日: 2017-11-21
- 发明人: 徐代果 , 徐世六 , 陈光炳 , 刘涛 , 刘璐 , 石寒夫 , 邓民明
- 申请人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
- 申请人地址: 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
- 当前专利权人地址: 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 代理机构: 上海光华专利事务所
- 代理商 赵丝丝
- 主分类号: H03M1/12
- IPC分类号: H03M1/12
摘要:
本发明提供一种基于NMOS管的栅压自举开关电路,包括用于采样的NMOS管MN1,电压自举电路BOOST,采样开关衬底耦合电容C1,采样开关MN1衬底放电开关MN8,本发明在采样NMOS管NM1的栅极和衬底之间加入了一个耦合电容C1,在采样开关的衬底和地之间加入一个放电开关MN8,当输入信号VIN变化时,如果采样保持电路处于采样状态,放电开关NM8断开,通过自举电路模块BOOST产生的自举效果,当输入信号VIN变化时,如果采样保持电路处于保持状态,放电开关NM8导通,采样开关NM1的衬底电压被下拉到地,同时,采样开关NM1的栅极电压也被下拉到地,从而采样开关NM1断开。本发明所提出的采样保持开关及其辅助电路,和传统结构相比,线性度明显提高。
公开/授权文献
- CN107370487B 一种基于NMOS管的栅压自举开关电路 公开/授权日:2020-06-09