一种具有较高击穿电压的场效应晶体管，可以通过以下步骤提供：在栅极堆叠体之上形成邻接电介质材料层，形成与栅极堆叠体横向地间隔的通孔腔，选择性沉积单晶半导体材料，以及将沉积的单晶半导体材料的上部转化为抬高的源极/漏极区域。通孔腔中的选择性沉积的单晶半导体材料的下部可以具有较低浓度的掺杂，由此有效地增大源极区域和漏极区域的边缘处的两个陡峭结之间的距离。可选地，可以在形成邻接电介质材料层之前形成用于附加器件的嵌入的有源区域。可以在形成与顶表面垂直地间隔的抬高的有源区域的同时形成接触基板的顶表面的升高的有源区域。