使用电不对称效应控制等离子体处理空间的系统和方法

发明公开

CN107452616A 使用电不对称效应控制等离子体处理空间的系统和方法有权

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专利标题： 使用电不对称效应控制等离子体处理空间的系统和方法
专利标题（英）： Systems And Methods For Using Electrical Asymmetry Effect To Control Plasma Process Space
申请号： CN201710324620.4

申请日： 2017-05-10
公开(公告)号： CN107452616A

公开(公告)日： 2017-12-08
发明人: 道格拉斯·凯尔 , 伊斯达克·卡里姆 , 亚思万斯·兰吉内尼 , 阿德里安·拉瓦伊 , 崎山幸则 , 爱德华·奥古斯蒂尼克 , 卡尔·利泽 , 季春海
申请人： 朗姆研究公司
申请人地址： 美国加利福尼亚州
专利权人： 朗姆研究公司
当前专利权人： 朗姆研究公司
当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
代理机构： 上海胜康律师事务所
代理商 樊英如; 邱晓敏
优先权： 15/154,715 2016.05.13 US
主分类号： H01L21/316
IPC分类号： H01L21/316 ; H01L21/318 ; H01L21/67

摘要：

本发明涉及使用电不对称效应控制等离子体处理空间的系统和方法。公开了用于在晶片上启用等离子体的膜沉积的系统和方法，其中使用多个频率的射频信号产生等离子体并且其中控制在多个频率的射频信号之间的相位角关系。在该系统中，提供了基座以支撑晶片。等离子体产生区域形成在所述基座上方。电极邻近所述等离子体产生区域设置，以使得射频信号能传输到所述等离子体产生区域中。射频电源向所述电极提供不同频率的多个射频信号。所述不同频率中的最低频率是基本频率，并且所述不同频率中的大于所述基本频率的每个频率是所述基本频率的偶次谐波。所述射频电源对所述多个射频信号中的每一个之间的相位角关系提供可变控制。

摘要（英）：

The present invention relates to systems and methods for using an electrical asymmetry effect to control the plasma process space, and systems and methods are disclosed for plasma enabled film deposition on a wafer in which a plasma is generated by using radiofrequency signals of multiple frequencies and in which a phase angle relationship is controlled between the radiofrequency signals of multiple frequencies. In the system, a pedestal is provided to support the wafer. A plasma generation region is formed above the pedestal. An electrode is disposed in proximity to the plasma generation region to provide for transmission of radiofrequency signals into the plasma generation region. A radiofrequency power supply provides multiple radiofrequency signals of different frequencies to the electrode. A lowest of the different frequencies is a base frequency, and each of the different frequencies that is greater than the base frequency is an even harmonic of the base frequency. The radiofrequency power supply provides for variable control of the phase angle relationship between each of the multiple radiofrequency signals.

公开/授权文献

CN107452616B 使用电不对称效应控制等离子体处理空间的系统和方法公开/授权日：2020-09-11

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中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314	......无机层（H01L21/3105，H01L21/32优先）
H01L21/316	.......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层