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公开(公告)号：CN107039255B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201611012304.5
申请日：2016-11-17
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 崎山幸则 , 伊斯达克·卡里姆 , 亚思万斯·兰吉内尼 , 阿德里安·拉瓦伊 , 拉梅什·钱德拉赛卡哈伦 , 爱德华·奥古斯蒂尼克 , 道格拉斯·凯尔
IPC分类号： H01L21/268 , H01J37/32
摘要： 本发明涉及通过电测量检测等离子体不稳定性的系统和方法。晶片放置在电极下方的晶片支撑装置上，使得在晶片和电极之间存在等离子体产生区域。向电极供应射频功率以在等离子体处理操作的多个连续的等离子体处理循环期间在等离子体产生区域内产生等离子体。连接到电极的至少一个电传感器在多个连续的等离子体处理循环中的每一个期间测量电极上的射频参数。针对多个连续的等离子体处理循环中的每一个确定在电极上测得的射频参数的值。确定在多个连续的等离子体处理循环期间在电极上测得的射频参数的值中是否存在任何指示性趋势或变化，其中指示性趋势或变化指示在等离子体处理操作期间等离子体不稳定性的形成。
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公开(公告)号：CN103021781B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201210476899.5
申请日：2006-06-13
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 克里斯托弗·金博尔 , 埃里克·赫德森 , 道格拉斯·凯尔 , 阿列克谢·马拉赫塔诺夫
CPC分类号： H01J37/32431 , H01J37/32935 , H05H1/0081 , Y10T29/49002
摘要： 公开了一种探针装置，其配置为测量等离子体处理室内的电特性组，该等离子体处理室包括配置为暴露于等离子体的等离子体室表面组。该探针装置包括收集盘结构，其配置为暴露于所述等离子体，由此，收集盘结构与该等离子体室表面组中的至少一个是共面的。该探针装置还包括传导路径，其配置为将该电特性组由该收集盘结构传输到转换器组，其中由该等离子体的离子通量产生该电特性组。该探针装置进一步包括绝缘阻挡部，其配置为大体上将收集盘结构和传导路径与所述等离子体室表面组电分离。
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公开(公告)号：CN101490306A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780026149.5
申请日：2007-07-06
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： H01J37/32183 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32532
摘要： 一种用于半导体晶圆等离子处理的设备。该设备包含室，其中设有下电极和上电极。该下电极用于传送射频电流通过该室，以在该室内产生等离子。该上电极形成于下电极上方且与该室电隔离。将电压源连接到上电极。该电压源用以控制上电极相对于该室的电压。受到该电压源控制的上电极的电位能够影响将产生于上下电极之间的等离子的电位。
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公开(公告)号：CN101460656A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200780020772.X
申请日：2007-04-03
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 道格拉斯·凯尔
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： H01J37/32935 , G01R19/0061 , H01J37/32954 , H01J37/3299
摘要： 揭示了用平面离子流(PIF)探测装置探测和/或获取参数(如该等离子体势和该离子通量)的绝对值和/或相对变化的方法和装置。接着用该探测和/或获取的值控制该等离子处理工艺。
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公开(公告)号：CN107452616B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201710324620.4
申请日：2017-05-10
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及使用电不对称效应控制等离子体处理空间的系统和方法。公开了用于在晶片上启用等离子体的膜沉积的系统和方法，其中使用多个频率的射频信号产生等离子体并且其中控制在多个频率的射频信号之间的相位角关系。在该系统中，提供了基座以支撑晶片。等离子体产生区域形成在所述基座上方。电极邻近所述等离子体产生区域设置，以使得射频信号能传输到所述等离子体产生区域中。射频电源向所述电极提供不同频率的多个射频信号。所述不同频率中的最低频率是基本频率，并且所述不同频率中的大于所述基本频率的每个频率是所述基本频率的偶次谐波。所述射频电源对所述多个射频信号中的每一个之间的相位角关系提供可变控制。
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公开(公告)号：CN107452616A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710324620.4
申请日：2017-05-10
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及使用电不对称效应控制等离子体处理空间的系统和方法。公开了用于在晶片上启用等离子体的膜沉积的系统和方法，其中使用多个频率的射频信号产生等离子体并且其中控制在多个频率的射频信号之间的相位角关系。在该系统中，提供了基座以支撑晶片。等离子体产生区域形成在所述基座上方。电极邻近所述等离子体产生区域设置，以使得射频信号能传输到所述等离子体产生区域中。射频电源向所述电极提供不同频率的多个射频信号。所述不同频率中的最低频率是基本频率，并且所述不同频率中的大于所述基本频率的每个频率是所述基本频率的偶次谐波。所述射频电源对所述多个射频信号中的每一个之间的相位角关系提供可变控制。
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公开(公告)号：CN107039255A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611012304.5
申请日：2016-11-17
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 崎山幸则 , 伊斯达克·卡里姆 , 亚思万斯·兰吉内尼 , 阿德里安·拉瓦伊 , 拉梅什·钱德拉赛卡哈伦 , 爱德华·奥古斯蒂尼克 , 道格拉斯·凯尔
IPC分类号： H01L21/268 , H01J37/32
摘要： 本发明涉及通过电测量检测等离子体不稳定性的系统和方法。晶片放置在电极下方的晶片支撑装置上，使得在晶片和电极之间存在等离子体产生区域。向电极供应射频功率以在等离子体处理操作的多个连续的等离子体处理循环期间在等离子体产生区域内产生等离子体。连接到电极的至少一个电传感器在多个连续的等离子体处理循环中的每一个期间测量电极上的射频参数。针对多个连续的等离子体处理循环中的每一个确定在电极上测得的射频参数的值。确定在多个连续的等离子体处理循环期间在电极上测得的射频参数的值中是否存在任何指示性趋势或变化，其中指示性趋势或变化指示在等离子体处理操作期间等离子体不稳定性的形成。
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公开(公告)号：CN101213147B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200680023933.6
申请日：2006-06-13
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 克里斯托弗·金博尔 , 埃里克·赫德森 , 道格拉斯·凯尔 , 阿列克谢·马拉赫塔诺夫
CPC分类号： H01J37/32431 , H01J37/32935 , H05H1/0081 , Y10T29/49002
摘要： 公开了一种探针装置，其配置为测量等离子体处理室内的电特性组，该等离子体处理室包括配置为暴露于等离子体的等离子体室表面组。该探针装置包括收集盘结构，其配置为暴露于所述等离子体，由此，收集盘结构与该等离子体室表面组中的至少一个是共面的。该探针装置还包括传导路径，其配置为将该电特性组由该收集盘结构传输到转换器组，其中由该等离子体的离子通量产生该电特性组。该探针装置进一步包括绝缘阻挡部，其配置为大体上将收集盘结构和传导路径与所述等离子体室表面组电分离。
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公开(公告)号：CN101490306B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200780026149.5
申请日：2007-07-06
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： H01J37/32183 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32532
摘要： 一种用于半导体晶圆等离子处理的设备。该设备包含室，其中设有下电极和上电极。该下电极用于传送射频电流通过该室，以在该室内产生等离子。该上电极形成于下电极上方且与该室电隔离。将电压源连接到上电极。该电压源用以控制上电极相对于该室的电压。受到该电压源控制的上电极的电位能够影响将产生于上下电极之间的等离子的电位。
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公开(公告)号：CN101166583B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200680010072.8
申请日：2006-03-24
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 埃里克·赫德森 , 道格拉斯·凯尔 , 阿列克谢·马拉赫塔诺夫
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/00
CPC分类号： H01J37/32963 , H01J37/32935
摘要： 本发明公开了一种通过测量层的厚度来确定处理的终点的方法，该层通过先前处理沉积在表面上。该方法包括提供与表面共面的传感器，其中，该传感器被配置为测量厚度。该方法还包括：将等离子体室暴露给等离子体，其中，通过暴露来改变厚度；以及确定厚度作为时间的函数。该方法还包括确定厚度中的稳态条件，该稳态条件的特征在于厚度基本上不变的测量结果，稳态条件的开始表示终点。
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