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公开(公告)号：CN118660987A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202280090426.3
申请日：2022-12-13
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/509 , H01L21/683
摘要： 一种静电卡盘(ESC)底涂系统包含存储器和控制器。该存储器储存底涂应用。该控制器被配置成执行该底涂应用以进行：确定底涂参数；执行完整清洁工艺以移除在衬底处理系统的处理室中的底涂沉积物；以及基于该底涂参数，执行一或多个沉积工艺，以在该ESC上沉积一或多个底涂层，以提供具有总厚度介于7‑15μm之间的整体底涂层，在该ESC上的衬底进行后续沉积工艺期间，该一或多个底涂层提供对该ESC的保护。
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公开(公告)号：CN109023311A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810585572.9
申请日：2014-09-29
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 斯利士·K·雷迪 , 季春海 , 陈欣怡 , 普拉莫德·苏布拉莫尼姆
IPC分类号： C23C16/505 , C23C16/26
CPC分类号： H01L21/0332 , C23C16/505 , C23C16/515 , H01L21/02115 , H01L21/02274
摘要： 提供了使用等离子体增强化学气相沉积形成高蚀刻选择性、低应力的可灰化硬膜的方法。在某些实施方式中，所述方法涉及在使用双射频等离子体源沉积可灰化硬膜期间在保持高频射频功率恒定的同时使低频射频功率脉动。根据各种实施方式，低频射频功率可以在非零水平之间脉动或者通过开启和关闭低频射频功率而脉动。所得的沉积的高选择性可灰化硬膜由于一个或多个因素可以具有减小的应力，这些因素包括在可灰化硬膜上减少的离子和原子轰击以及陷入可灰化硬膜中更低水平的氢。
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公开(公告)号：CN118235237A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280075352.6
申请日：2022-11-10
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 安立伟 , 拉梅什·钱德拉塞卡拉 , 谢尔盖·格奥尔吉耶维奇·别洛斯托茨基 , 洪图 , 季春海 , 诺亚·埃利奥特·贝克
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683
摘要： 一种用于监测处理室的基座的健康度的系统包含：存储指令的存储器和处理器。该处理器被配置为执行所述指令以感测通过配置在该基座中的一或更多个电极的一或更多个电流；基于该一或更多个电流而产生一或更多个度量；以及基于该一或更多个度量确定该基座的健康度。
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公开(公告)号：CN114051541A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202080047004.9
申请日：2020-06-24
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01J37/32
摘要： 所公开的主题的是一种减少处理室内部的部件的膜脱落的方法。在一示例中，所述方法包括：在所述处理室内的连续多个衬底中的每一个上形成介电膜层；以及在预定数量的所述连续多个衬底上形成所述介电膜层之后，在所述处理室内部的所述部件上形成未掺杂的硅酸盐玻璃(USG)膜以钝化所述介电膜层的积累层面。公开了其他设备和方法。
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公开(公告)号：CN117981042A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280064268.4
申请日：2022-09-15
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/687
摘要： 一种处理衬底的方法，将该衬底装载至穿过基座的多个升降销上，该基座配置在处理室中。将该多个升降销降低以将该衬底搁置在该基座上。供应沉积气体混合物以将膜沉积在该衬底上。停止该沉积气体混合物的该供应。使用该多个升降销将该衬底升高至该处理室中的该基座之上。供应蚀刻气体混合物。在该衬底与该基座的该表面之间激励该处理室中的等离子体以去除残留膜。
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公开(公告)号：CN109023311B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201810585572.9
申请日：2014-09-29
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 斯利士·K·雷迪 , 季春海 , 陈欣怡 , 普拉莫德·苏布拉莫尼姆
IPC分类号： C23C16/505 , C23C16/26
摘要： 提供了使用等离子体增强化学气相沉积形成高蚀刻选择性、低应力的可灰化硬膜的方法。在某些实施方式中，所述方法涉及在使用双射频等离子体源沉积可灰化硬膜期间在保持高频射频功率恒定的同时使低频射频功率脉动。根据各种实施方式，低频射频功率可以在非零水平之间脉动或者通过开启和关闭低频射频功率而脉动。所得的沉积的高选择性可灰化硬膜由于一个或多个因素可以具有减小的应力，这些因素包括在可灰化硬膜上减少的离子和原子轰击以及陷入可灰化硬膜中更低水平的氢。
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公开(公告)号：CN112164651A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202010824548.3
申请日：2017-05-10
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及用于执行等离子体处理以在晶片上沉积膜的系统和方法。公开了提供不同频率的多个射频信号，其中所述不同频率中的最低频率是基本频率，并且其中具有大于所述基本频率的频率的每个射频信号与所述基本频率的所述射频信号处于偶次谐波关系，并且其中具有大于所述基本频率的频率的每个射频信号与所述基本频率的所述射频信号处于固定的相位关系，多个射频信号具有相应的频率，所述相应的频率被设定为在所述等离子体产生区域内将所述工艺气体组合物转变成所述等离子体以使所述膜沉积在所述晶片上。
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公开(公告)号：CN104513973B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201410513782.9
申请日：2014-09-29
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 斯利士·K·雷迪 , 季春海 , 陈欣怡 , 普拉莫德·苏布拉莫尼姆
IPC分类号： C23C16/505 , C23C16/26
CPC分类号： H01L21/0332 , C23C16/505 , C23C16/515 , H01L21/02115 , H01L21/02274
摘要： 提供了使用等离子体增强化学气相沉积形成高蚀刻选择性、低应力的可灰化硬膜的方法。在某些实施方式中，所述方法涉及在使用双射频等离子体源沉积可灰化硬膜期间在保持高频射频功率恒定的同时使低频射频功率脉动。根据各种实施方式，低频射频功率可以在非零水平之间脉动或者通过开启和关闭低频射频功率而脉动。所得的沉积的高选择性可灰化硬膜由于一个或多个因素可以具有减小的应力，这些因素包括在可灰化硬膜上减少的离子和原子轰击以及陷入可灰化硬膜中更低水平的氢。
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公开(公告)号：CN107452616B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201710324620.4
申请日：2017-05-10
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及使用电不对称效应控制等离子体处理空间的系统和方法。公开了用于在晶片上启用等离子体的膜沉积的系统和方法，其中使用多个频率的射频信号产生等离子体并且其中控制在多个频率的射频信号之间的相位角关系。在该系统中，提供了基座以支撑晶片。等离子体产生区域形成在所述基座上方。电极邻近所述等离子体产生区域设置，以使得射频信号能传输到所述等离子体产生区域中。射频电源向所述电极提供不同频率的多个射频信号。所述不同频率中的最低频率是基本频率，并且所述不同频率中的大于所述基本频率的每个频率是所述基本频率的偶次谐波。所述射频电源对所述多个射频信号中的每一个之间的相位角关系提供可变控制。
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公开(公告)号：CN107452616A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710324620.4
申请日：2017-05-10
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及使用电不对称效应控制等离子体处理空间的系统和方法。公开了用于在晶片上启用等离子体的膜沉积的系统和方法，其中使用多个频率的射频信号产生等离子体并且其中控制在多个频率的射频信号之间的相位角关系。在该系统中，提供了基座以支撑晶片。等离子体产生区域形成在所述基座上方。电极邻近所述等离子体产生区域设置，以使得射频信号能传输到所述等离子体产生区域中。射频电源向所述电极提供不同频率的多个射频信号。所述不同频率中的最低频率是基本频率，并且所述不同频率中的大于所述基本频率的每个频率是所述基本频率的偶次谐波。所述射频电源对所述多个射频信号中的每一个之间的相位角关系提供可变控制。
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