发明公开
- 专利标题: 一种离子注入剂量自动控制方法及系统
- 专利标题(英): Method and system for automatically controlling ion implantation dose
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申请号: CN201710612020.8申请日: 2017-07-25
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公开(公告)号: CN107507764A公开(公告)日: 2017-12-22
- 发明人: 董卫一鸣 , 赖朝荣 , 王智 , 苏俊铭
- 申请人: 上海华力微电子有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
- 专利权人: 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人: 上海华力集成电路制造有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
- 代理机构: 上海申新律师事务所
- 代理商 俞涤炯
- 主分类号: H01L21/265
- IPC分类号: H01L21/265 ; H01L21/66
摘要:
本发明公开了一种离子注入剂量自动控制方法及系统,属于半导体制造技术领域;方法包括:分别获取当前层之前特定层的制造工序中离子注入剂量的影响参数,根据所有影响参数以及当前层的制造工序对应的注入工序的标准注入剂量,处理得到当前层的目标注入剂量,处理得到当前层的目标注入剂量;将当前层的目标注入剂量与预设的目标剂量范围进行比较,以确定与目标注入剂量相匹配的目标剂量范围;选择与被确定的目标剂量范围相对应的离子注入程式,并根据被选择的离子注入程式确定当前层的制造工序中的离子注入剂量。系统依照上述方法实现。上述技术方案的有益效果是:简化离子注入剂量自动控制的复杂度,保证注入剂量调整的稳定性和安全性。
公开/授权文献
- CN107507764B 一种离子注入剂量自动控制方法及系统 公开/授权日:2019-12-03
IPC分类: