发明授权
- 专利标题: 以模型为基础的热点监测
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申请号: CN201680025324.8申请日: 2016-05-07
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公开(公告)号: CN107533995B公开(公告)日: 2019-08-30
- 发明人: S·潘戴夫 , S·卡帕希 , M·D·史密斯 , A·莱维
- 申请人: 科磊股份有限公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 科磊股份有限公司
- 当前专利权人: 科磊股份有限公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 张世俊
- 优先权: 62/158,618 2015.05.08 US
- 国际申请: PCT/US2016/031381 2016.05.07
- 国际公布: WO2016/182965 EN 2016.11.17
- 进入国家日期: 2017-11-01
- 主分类号: H01L21/66
- IPC分类号: H01L21/66 ; G01B11/00
摘要:
在本文中呈现用于监测特性化制造在半导体晶片上的不同位置处的一组热点结构的参数的方法及系统。所述热点结构是展现对工艺变化的敏感性且引起必须执行以防止装置故障及低良率的对可允许工艺变化的限制的装置结构。采用经训练热点测量模型以接收通过一或多个计量系统在一或多个计量目标处产生的测量数据且直接确定一或多个热点参数的值。训练所述热点测量模型以建立考虑中的热点结构的一或多个特性与相关联于相同晶片上的至少一个计量目标的测量的对应测量数据之间的函数关系。基于经测量热点参数的所述值来调整制造工艺参数。
公开/授权文献
- CN107533995A 以模型为基础的热点监测 公开/授权日:2018-01-02