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公开(公告)号：CN111279166A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201880051578.6
申请日：2018-08-06
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 王天含 , A·罗森贝格 , 胡大为 , A·库兹涅佐夫 , M·D·源 , S·潘戴夫 , J·莱索伊内 , 赵强 , 列-关·里奇·利 , H·舒艾卜 , 狄明 , T·卡阿卡 , A·舒杰葛洛夫 , 谭正泉
摘要： 本发明揭示一种光谱计量系统，其包含光谱计量工具及控制器。所述控制器生成包含两个或更多个层的多层光栅的模型，所述模型包含指示所述多层光栅的测试层的几何结构的几何参数及指示所述测试层的色散的色散参数。所述控制器进一步从所述光谱计量工具接收对应于所述经模型化多层光栅的经制造多层光栅的光谱信号。所述控制器进一步确定所述经模型化多层光栅的所述一或多个参数的值，从而在选定公差内提供对应于所述经测量光谱信号的经模拟光谱信号。所述控制器进一步基于所述经制造结构的所述测试层的所述一或多个参数的所述经确定值来预测所述经制造多层光栅的所述测试层的带隙。
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公开(公告)号：CN106796105B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201580055340.7
申请日：2015-10-14
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G01B11/24
摘要： 本发明提出用于评估多重图案化工艺的性能的方法及系统。测量图案化结构且确定特征化由所述多重图案化工艺引发的几何误差的一或多个参数值。在一些实例中，测量主、多重图案化目标且通过信号响应度量SRM测量模型从所述测量数据直接确定所关注参数的值。在一些其它实例中，测量主、多重图案化目标及辅助目标且通过信号响应度量SRM测量模型从所述测量数据直接确定所关注参数的值。在一些其它实例中，在不同过程步骤处测量主、多重图案化目标且通过信号响应度量SRM测量模型从所述测量数据直接确定所关注参数的值。
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公开(公告)号：CN107850858A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680046414.5
申请日：2016-08-12
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027 , H01L21/66
摘要： 本发明揭示一种光刻系统，其包含照明源及一组投影光学器件。所述照明源将照明光束从离轴照明极点引导到图案掩模。所述图案掩模包含一组图案元件，所述组图案元件产生包含来自所述照明极点的照明的一组衍射光束。由所述组投影光学器件接收的所述组衍射光束中的至少两个衍射光束非对称地分布于所述组投影光学器件的光瞳面中。所述组衍射光束中的所述至少两个衍射光束非对称地入射于样本上以形成对应于所述组图案元件的图像的一组制造元件。样本上的所述组制造元件包含沿所述组投影光学器件的光学轴的样本的位置的一或多个指示符。
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公开(公告)号：CN107077644A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580059581.9
申请日：2015-11-18
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G06N99/00
CPC分类号： G06N99/005
摘要： 本发明提供一种用于组合来自多个计量工具的原始数据的系统、方法及计算机程序产品。获得关于培训组件的至少一个参数的参考值。利用第一计量工具及不同的第二计量工具收集关于所述培训组件的所述至少一个参数的信号。此外，将所述信号的至少一部分变换为一组信号，且针对所述培训组件的所述至少一个参数中的每一者，确定所述组信号与所述参考值之间的对应关系并据此创建对应培训模型。利用至少所述第一计量工具及所述第二计量工具从目标组件收集信号，且将每一所创建培训模型应用于从所述目标组件收集的所述信号以测量所述目标组件的参数值。
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公开(公告)号：CN111279166B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN201880051578.6
申请日：2018-08-06
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 王天含 , A·罗森贝格 , 胡大为 , A·库兹涅佐夫 , M·D·源 , S·潘戴夫 , J·莱索伊内 , 赵强 , 列-关·里奇·利 , H·舒艾卜 , 狄明 , T·卡阿卡 , A·舒杰葛洛夫 , 谭正泉
摘要： 本发明揭示一种光谱计量系统，其包含光谱计量工具及控制器。所述控制器生成包含两个或更多个层的多层光栅的模型，所述模型包含指示所述多层光栅的测试层的几何结构的几何参数及指示所述测试层的色散的色散参数。所述控制器进一步从所述光谱计量工具接收对应于所述经模型化多层光栅的经制造多层光栅的光谱信号。所述控制器进一步确定所述经模型化多层光栅的所述一或多个参数的值，从而在选定公差内提供对应于所述经测量光谱信号的经模拟光谱信号。所述控制器进一步基于所述经制造结构的所述测试层的所述一或多个参数的所述经确定值来预测所述经制造多层光栅的所述测试层的带隙。
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公开(公告)号：CN107077644B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201580059581.9
申请日：2015-11-18
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G06N20/00
摘要： 本发明提供一种用于组合来自多个计量工具的原始数据的系统、方法及计算机程序产品。获得关于培训组件的至少一个参数的参考值。利用第一计量工具及不同的第二计量工具收集关于所述培训组件的所述至少一个参数的信号。此外，将所述信号的至少一部分变换为一组信号，且针对所述培训组件的所述至少一个参数中的每一者，确定所述组信号与所述参考值之间的对应关系并据此创建对应培训模型。利用至少所述第一计量工具及所述第二计量工具从目标组件收集信号，且将每一所创建培训模型应用于从所述目标组件收集的所述信号以测量所述目标组件的参数值。
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公开(公告)号：CN107533995B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201680025324.8
申请日：2016-05-07
申请人： 科磊股份有限公司
摘要： 在本文中呈现用于监测特性化制造在半导体晶片上的不同位置处的一组热点结构的参数的方法及系统。所述热点结构是展现对工艺变化的敏感性且引起必须执行以防止装置故障及低良率的对可允许工艺变化的限制的装置结构。采用经训练热点测量模型以接收通过一或多个计量系统在一或多个计量目标处产生的测量数据且直接确定一或多个热点参数的值。训练所述热点测量模型以建立考虑中的热点结构的一或多个特性与相关联于相同晶片上的至少一个计量目标的测量的对应测量数据之间的函数关系。基于经测量热点参数的所述值来调整制造工艺参数。
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公开(公告)号：CN109844917A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780062566.9
申请日：2017-10-12
申请人： 科磊股份有限公司
摘要： 本文中呈现用于基于在过程间隔期间对晶片进行的重复测量估计所关注参数的值的方法及系统。在一个方面中，一或多个光学计量子系统与例如蚀刻工具或沉积工具等过程工具集成。使用在处理所述晶片时测量的一或多个所关注参数的值来控制所述过程本身。快速地且以足够准确度执行所述测量以实现半导体制造过程流程的良率改进。在一个方面中，使用经训练信号响应计量SRM测量模型来基于被处理晶片的光谱测量估计一或多个所关注参数的值。在另一方面中，采用经训练信号净化模型以在处理所述晶片时从经测量光谱产生净化光谱。
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公开(公告)号：CN107533995A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680025324.8
申请日：2016-05-07
申请人： 科磊股份有限公司
摘要： 在本文中呈现用于监测特性化制造在半导体晶片上的不同位置处的一组热点结构的参数的方法及系统。所述热点结构是展现对工艺变化的敏感性且引起必须执行以防止装置故障及低良率的对可允许工艺变化的限制的装置结构。采用经训练热点测量模型以接收通过一或多个计量系统在一或多个计量目标处产生的测量数据且直接确定一或多个热点参数的值。训练所述热点测量模型以建立考虑中的热点结构的一或多个特性与相关联于相同晶片上的至少一个计量目标的测量的对应测量数据之间的函数关系。基于经测量热点参数的所述值来调整制造工艺参数。
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