Invention Grant
- Patent Title: 半导体封装件及其形成方法
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Application No.: CN201710708941.4Application Date: 2017-08-17
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Publication No.: CN107768258BPublication Date: 2020-05-01
- Inventor: 邵栋梁 , 董志航 , 余振华
- Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹
- Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Current Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹
- Agency: 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- Agent 章社杲; 李伟
- Priority: 62/377,415 2016.08.19 US
- Main IPC: H01L21/50
- IPC: H01L21/50 ; H01L23/48
Abstract:
本发明的实施例公开了半导体封装件及其形成方法。实施例包括在第一衬底中形成第一凹槽,其中第一凹槽的开口的第一面积大于第一凹槽的底部的第二面积。实施例还包括形成第一器件,其中第一器件的顶端的第三面积大于第一器件的底端的第四面积。实施例还包括将第一器件放置在第一凹槽中,其中第一器件的底端面向第一凹槽的底部,以及将第一器件的侧壁接合到第一凹槽的侧壁。
Public/Granted literature
- CN107768258A 半导体封装件及其形成方法 Public/Granted day:2018-03-06
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IPC分类: