半导体封装件及其形成方法
Abstract:
本发明的实施例公开了半导体封装件及其形成方法。实施例包括在第一衬底中形成第一凹槽,其中第一凹槽的开口的第一面积大于第一凹槽的底部的第二面积。实施例还包括形成第一器件,其中第一器件的顶端的第三面积大于第一器件的底端的第四面积。实施例还包括将第一器件放置在第一凹槽中,其中第一器件的底端面向第一凹槽的底部,以及将第一器件的侧壁接合到第一凹槽的侧壁。
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