公开(公告)号：CN112447629B

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202010856135.3

申请日：2020-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴仲融 ,  董志航 ,  邵栋梁 ,  萧胜聪 ,  王仁佑

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H01L21/50

Abstract: 一种半导体器件包括封装件及冷却盖。封装件包括第一管芯，第一管芯具有有源表面及与有源表面相对的后表面。后表面具有冷却区及封闭冷却区的外围区。第一管芯包括位于后表面的冷却区中的微沟槽。冷却盖堆叠在第一管芯上。冷却盖包括位于冷却区之上且与微沟槽连通的流体入口端口及流体出口端口。

公开(公告)号：CN113675178B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202110220213.5

申请日：2021-02-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧胜聪 ,  王仁佑 ,  吴仲融 ,  邵栋梁 ,  董志航

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H05K1/18

Abstract: 公开了包括具有液冷通道的盖的半导体器件及其形成方法。在实施例中，半导体器件包括：第一集成电路管芯；盖，耦合至第一集成电路管芯，该盖包括位于盖的与第一集成电路管芯相反的表面中的多个通道；冷却盖，与第一集成电路管芯相反地耦合至盖；以及传热单元，通过管配件耦合至冷却盖，该传热单元被配置为通过冷却盖将液体冷却剂供应至多个通道。本申请的实施例提供了半导体封装件、半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN107768258B

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201710708941.4

申请日：2017-08-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邵栋梁 ,  董志航 ,  余振华

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明的实施例公开了半导体封装件及其形成方法。实施例包括在第一衬底中形成第一凹槽，其中第一凹槽的开口的第一面积大于第一凹槽的底部的第二面积。实施例还包括形成第一器件，其中第一器件的顶端的第三面积大于第一器件的底端的第四面积。实施例还包括将第一器件放置在第一凹槽中，其中第一器件的底端面向第一凹槽的底部，以及将第一器件的侧壁接合到第一凹槽的侧壁。

公开(公告)号：CN110391146A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910318651.8

申请日：2019-04-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  黄英叡 ,  董志航 ,  邵栋梁 ,  谢静华 ,  黄见翎 ,  萧义理 ,  杨素纯

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/67

Abstract: 一种方法包括：拾取第一封装组件，去除第一封装组件的电连接件上的氧化物层，在去除氧化物层之后，将第一封装组件放置在第二封装组件上，以及将第一封装组件接合到第二封装组件。本发明的实施例还涉及利用预先去氧化物工艺的接合及其执行装置。

公开(公告)号：CN102983109A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210187435.2

申请日：2012-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  董志航 ,  邵栋梁

IPC: H01L23/367

CPC classification number: H01L23/3675 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/19 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/181 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种多芯片半导体器件，该器件包括热增强结构、第一半导体芯片、第二半导体芯片、形成在第一半导体芯片和第二半导体芯片上的顶部上的封装材料层。该多芯片半导体器件进一步包括形成在封装层中的多个热通孔。该热增强结构包括与第一半导体管芯相接合的散热器模块。该散热器模块可以进一步包括多种热通孔和热开口。通过使用热增强结构，改进了多芯片半导体器件的热性能。本发明还提供了一种用于多芯片器件的热增强结构。

公开(公告)号：CN102931173A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210063795.1

申请日：2012-03-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余俊辉 ,  董志航 ,  邵栋梁 ,  余振华 ,  史达元

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/83005

Abstract: 一种多芯片晶圆级封装件包括三个堆叠的半导体管芯。第一半导体管芯内嵌在第一感光材料层中。在第一半导体管芯顶面上堆叠第二半导体管芯，其中，第二半导体管芯面对面连接至第一半导体管芯。第三半导体管芯背对背附接至第二半导体管芯。第二半导体管芯和第三半导体管芯内嵌均在第二感光材料层中。多芯片晶圆级封装件进一步包括：形成在第一感光材料层和第二感光材料层中的多个通孔。

公开(公告)号：CN117238774A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310958162.5

申请日：2023-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邵栋梁 ,  黄钰昇 ,  郑文豪 ,  余振华

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L23/488 ,  H01L23/528 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种半导体封装包括：包括半导体晶粒的第一封装元件，其中半导体晶粒包括多个导电接垫，其中半导体晶粒被封装胶体环绕；位于半导体晶粒上的适应性内连线结构，其中适应性内连线结构包括多条导电线以及多个第一接合接垫，其中每一导电线实体接触且电性接触相应的导电接垫，其中每一第一接合接垫实体接触且电性接触相应的导电线；以及，包括内连线结构的第二封装元件，其中内连线结构包括多个第二接合接垫，其中每一第二接合接垫直接接合至相应的第一接合接垫，其中每一第二接合接垫自与其电性耦合的对应的导电接垫侧向偏移。

公开(公告)号：CN116525558A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310206280.0

申请日：2023-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  王垂堂 ,  郑文豪 ,  邵栋梁 ,  蔡仲豪

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L25/00

Abstract: 一种封装件包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的密封剂、嵌入密封剂中的第一集成电路管芯和第二集成电路管芯，以及位于密封剂的第一侧上的第一中介层。第一中介层机械耦接且电耦接至第一集成电路管芯和第二集成电路管芯。封装件还包括位于密封剂的第二侧上的第二中介层。第二中介层机械耦接且电耦接至第一集成电路管芯和第二集成电路管芯。第二中介层将第一集成电路管芯光耦接或电耦接至第二集成电路管芯。本发明的实施例还提供了形成封装件的方法。

公开(公告)号：CN112447629A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010856135.3

申请日：2020-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴仲融 ,  董志航 ,  邵栋梁 ,  萧胜聪 ,  王仁佑

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H01L21/50

Abstract: 一种半导体器件包括封装件及冷却盖。封装件包括第一管芯，第一管芯具有有源表面及与有源表面相对的后表面。后表面具有冷却区及封闭冷却区的外围区。第一管芯包括位于后表面的冷却区中的微沟槽。冷却盖堆叠在第一管芯上。冷却盖包括位于冷却区之上且与微沟槽连通的流体入口端口及流体出口端口。

公开(公告)号：CN107017175B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201611124232.3

申请日：2016-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邵栋梁 ,  董志航 ,  施玟伶 ,  陈筱芸 ,  余振华

IPC: H01L21/603 ,  H01L23/488

Abstract: 一种方法包括实施第一撞击工艺以使第一封装组件的金属凸块撞击第二封装组件的金属焊盘。金属凸块和金属焊盘的第一个包括铜。金属凸块和金属焊盘的第二个包括铝。该方法还包括实施第二撞击工艺以使金属凸块撞击金属焊盘。实施退火以使金属凸块接合在金属焊盘上。本发明实施例涉及封装及其形成方法以及用于接合的多撞击工艺。