二极管、接面场效晶体管以及半导体器件

Invention Publication

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Patent Title: 二极管、接面场效晶体管以及半导体器件
Patent Title (English): Diode, junction field effect transistor, and semiconductor device
Application No.: CN201610897750.2

Application Date: 2016-10-14
Publication No.: CN107799580A

Publication Date: 2018-03-13
Inventor: 韦维克 , 陈柏安 , 陈鲁夫
Applicant: 新唐科技股份有限公司
Applicant Address: 中国台湾新竹科学工业园区
Assignee: 新唐科技股份有限公司
Current Assignee: 新唐科技股份有限公司
Current Assignee Address: 中国台湾新竹科学工业园区
Agency: 北京三友知识产权代理有限公司
Agent 乔媛
Priority: 105128522 2016.09.02 TW
Main IPC: H01L29/06
IPC: H01L29/06 ; H01L29/861 ; H01L29/78 ; H01L29/808

Abstract:

本发明提供一种二极管、接面场效晶体管以及半导体器件，其皆具有顶层掺杂区。所述顶层掺杂区的一侧的掺质浓度梯度与其相对侧的掺质浓度梯度不同。所述顶层掺杂区可提升器件的击穿电压，并降低器件的开启状态电阻。

Abstract(English):

Provided are a diode, a junction field effect transistor (JFET), and a semiconductor device that have a top doped region. A dopant concentration gradient of the top doped region at one side is different from the dopant concentration gradient of the top doped region at an opposite side. The top doped region is able to increase a breakdown voltage of the device and decrease an on-state resistance (Ron) of the device.

Public/Granted literature

CN107799580B 半导体器件 Public/Granted day:2020-04-28

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02	.按其半导体本体的特征区分的
H01L29/06	..按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的