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公开(公告)号：CN110783402B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201811453965.0
申请日：2018-11-30
Applicant: 新唐科技股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种高压半导体装置及其制造方法。该高压半导体装置包含半导体基底，具有第一导电类型，第一高压阱设置于半导体基底内且具有与第一导电类型相反的第二导电类型，第一埋层设置于第一高压阱上且具有第一导电类型，第二埋层和第三埋层设置于第一高压阱上且具有第二导电类型，其中第一埋层位于第二埋层与第三埋层之间，外延层设置于半导体基底上，其中第一埋层、第二埋层和第三埋层自半导体基底延伸至外延层内，以及源极区和漏极区设置于第一埋层上且具有第二导电类型。
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公开(公告)号：CN110752252B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201811572406.1
申请日：2018-12-21
Applicant: 新唐科技股份有限公司
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其形成方法，该方法包括提供一半导体基板。半导体基板包括低电位预定区、高电位预定区及高电位接面终端预定区，且上述高电位接面终端预定区位于上述低电位预定区与上述高电位预定区之间。上述方法亦包括形成隔离区于上述高电位接面终端预定区与上述高电位预定区中。上述隔离区具有第一导电型态，且上述隔离区具有第一侧以及相对于上述第一侧的第二侧。上述方法亦包括形成多个彼此分离的第一注入区于上述隔离区第一侧的高电位接面终端预定区中。这些第一注入区具有相反于上述第一导电型态的第二导电型态。上述方法亦包括对这些第一注入区进行热处理工艺以于上述隔离区第一侧的高电位接面终端预定区中形成至少一第一阱。
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公开(公告)号：CN110021561A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811617682.5
申请日：2018-12-28
Applicant: 新唐科技股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的形成方法。首先，提供一基板，并在上述基板的高电位预定区中形成具有相反导电型态的第一阱与第二阱。接着，形成高电位区氧化层于上述高电位预定区的基板上，然后在上述基板的低电位预定区中形成具有相反导电型态的第三阱与第四阱，之后，形成低电位区氧化层于上述低电位预定区的基板上。
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公开(公告)号：CN110010680A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811486774.4
申请日：2018-12-06
Applicant: 新唐科技股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置及半导体结构，上述半导体装置包括基板、第一III-V族化合物层、第二III-V族化合物层、源极、漏极和栅极堆叠结构；第一III-V族化合物层设置于上述基板上；第二III-V族化合物层设置于第一III-V族化合物层上；源极和漏极设置于第二III-V族化合物层的相对侧边界上；栅极堆叠结构设置于第二III-V族化合物层上，栅极堆叠结构包括第一栅极和第二栅极，第一栅极设置于第二III-V族化合物层上；第二栅极设置于第一栅极上且与第一栅极电性绝缘，第二栅极电性耦接至源极。上述半导体装置可降低半导体装置的漏电。
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公开(公告)号：CN107919381A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710004833.9
申请日：2017-01-04
Applicant: 新唐科技股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/417
CPC classification number: H01L21/20 , H01L29/0611 , H01L29/0865 , H01L29/0882 , H01L29/41725 , H01L29/4983 , H01L29/78609 , H01L29/0642
Abstract: 本发明提供高压半导体装置，其包含具有第一导电型态的基底，及具有不同于第一导电型态的第二导电型态的外延层设置于基底上，外延层包含：高压单元；低压单元；以及电位转换单元设置于高压单元与低压单元间，电位转换单元包含：具有第二导电型态的源极区，具有第二导电型态的漏极区设置于源极区与高压单元间，其中漏极区通过设置于漏极区上方的漏极电极与高压单元电连接；以及栅极区设置于源极区与漏极区间。高压半导体装置更包含隔离结构，设置于高压单元与低压单元间，且隔离结构设置于漏极电极的正下方。本发明通过设置隔离结构贯穿外延层，防止电流从低压单元直接经由外延层流至高压单元，可减少高压半导体装置漏电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110021671B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201811610995.8
申请日：2018-12-27
Applicant: 新唐科技股份有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其中半导体装置包括基板，其具有第一导电类型；第二导电类型第一外延层，设置于基板上；第二导电类型第二外延层，设置于第二导电类型第一外延层上；基板的主动区包括：第一导电类型埋藏层，设置于第二导电类型第一外延层和第二导电类型第二外延层内；第一导电类型掺杂阱，设置于上述第二导电类型第二外延层内；第二导电类型重掺杂区，设置于第一导电类型掺杂阱上；第一沟槽隔离物，设置于上述基板中；第一导电类型掺杂区，设置于上述第一沟槽隔离物的一底面和上述第一导电类型埋藏层之间。
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公开(公告)号：CN109326649B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201811133880.4
申请日：2018-09-27
Applicant: 新唐科技股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管包括：本体区，位于基板的上部；漂移区，位于基板的上部且邻接本体区；栅极，位于本体区与漂移区之上；源极区，位于本体区中；漏极区，位于漂移区中；第一隔离区，位于源极区与漏极区之间的漂移区中；顶掺杂区，位于第一隔离区之下；电容，位于阱之上；及第二隔离区，位于源极区与电容之间的阱中；其中在俯视图中，栅极为回圈形，漏极区设置于回圈形的内侧，源极区设置于回圈形的外侧；其中回圈形具有缺口，且第一隔离区与第二隔离区于缺口处连接，且电容环绕栅极。
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公开(公告)号：CN108878542B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201711103021.6
申请日：2017-11-10
Applicant: 新唐科技股份有限公司
Inventor： 韦维克 , 陈柏安 , 苏柏拉曼亚·加亚谢拉拉欧
IPC: H01L29/872 , H01L27/02 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种半导体元件，包括基底、隔离结构、二极管元件以及第一金属层。隔离结构位于基底中。二极管元件位于隔离结构上，其中二极管元件包括P型掺杂区、N型掺杂区与本征区，且本征区位于P型掺杂区与N型掺杂区之间。位于二极管元件两端的P型掺杂区与N型掺杂区各自形成欧姆接触。第一金属层与二极管元件的本征区电连接并形成萧特基接触以构成至少一萧特基二极管。本发明能够有效地提升元件效能、缩小元件尺寸并节省成本。
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公开(公告)号：CN107799580B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201610897750.2
申请日：2016-10-14
Applicant: 新唐科技股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/78 , H01L29/808
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其具有顶层掺杂区。所述顶层掺杂区的一侧的掺质浓度梯度与其相对侧的掺质浓度梯度不同。所述顶层掺杂区可提升器件的击穿电压，并降低器件的开启状态电阻。
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公开(公告)号：CN110783402A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201811453965.0
申请日：2018-11-30
Applicant: 新唐科技股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种高压半导体装置及其制造方法。该高压半导体装置包含半导体基底，具有第一导电类型，第一高压阱设置于半导体基底内且具有与第一导电类型相反的第二导电类型，第一埋层设置于第一高压阱上且具有第一导电类型，第二埋层和第三埋层设置于第一高压阱上且具有第二导电类型，其中第一埋层位于第二埋层与第三埋层之间，外延层设置于半导体基底上，其中第一埋层、第二埋层和第三埋层自半导体基底延伸至外延层内，以及源极区和漏极区设置于第一埋层上且具有第二导电类型。
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