发明授权
CN107833858B 一种硅通孔电镀的三步预浸润方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 一种硅通孔电镀的三步预浸润方法
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申请号： CN201710992119.5申请日： 2017-10-19
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公开(公告)号： CN107833858B公开(公告)日： 2020-07-10
- 发明人: 李操 , 费鹏 , 刘胜
- 申请人： 华中科技大学
- 申请人地址： 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人： 华中科技大学
- 当前专利权人： 华中科技大学
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构： 华中科技大学专利中心
- 代理商 李智; 曹葆青
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; C25D7/12
摘要：
本发明公开了一种硅通孔电镀的三步预浸润方法，包括：将种子铜层的硅通孔晶圆浸入并浸泡在浸润液中，当种子铜层的硅通孔晶圆完全被浸润时，得到初浸润晶圆；将初浸润晶圆浸入并浸泡在去离子水中，得到再浸润晶圆；将再浸润晶圆浸入并浸泡在电镀液中，此时电镀液中的溶质扩散至硅通孔内部，从而实现硅通孔的孔内部浸润。本发明可以实现高的多的深径比的硅通孔的浸润，而且不会导致种子层脱落等问题，降低了成本，大大缩短了工艺时间，提高了效率。
公开/授权文献
- CN107833858A 一种硅通孔电镀的三步预浸润方法 公开/授权日：2018-03-23
IPC分类:
