公开(公告)号：CN106711095A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201611138133.0

申请日：2016-12-12

申请人： 华中科技大学

发明人： 李操 ,  费鹏 ,  刘胜

IPC分类号： H01L23/13 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768

摘要： 本发明公开了一种半导体衬底、三维封装芯片及其硅通孔的封装方法。所述半导体衬底具有贯穿所述半导体衬底的硅通孔；所述硅通孔的内表面的周向沉积有厚度小于2μm的导电材料，所述硅通孔中导电材料的体积分数为5vol.％～95vol.％，所述硅通孔的中心留有贯穿所述硅通孔的缝隙。本发明通过仅在硅通孔的内表面的周向沉积导电材料，使得半导体衬底上硅通孔的中心仍然留有一定的空隙，从而制得的三维封装芯片在遇到冷热环境时不易变形，从而提高了成品率，延长了三维封装芯片的寿命。

公开(公告)号：CN107833858A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201710992119.5

申请日：2017-10-19

申请人： 华中科技大学

发明人： 李操 ,  费鹏 ,  刘胜

IPC分类号： H01L21/768 ,  C25D7/12

摘要： 本发明公开了一种硅通孔电镀的三步预浸润方法，包括：将种子铜层的硅通孔晶圆浸入并浸泡在浸润液中，当种子铜层的硅通孔晶圆完全被浸润时，得到初浸润晶圆；将初浸润晶圆浸入并浸泡在去离子水中，得到再浸润晶圆；将再浸润晶圆浸入并浸泡在电镀液中，此时电镀液中的溶质扩散至硅通孔内部，从而实现硅通孔的孔内部浸润。本发明可以实现高的多的深径比的硅通孔的浸润，而且不会导致种子层脱落等问题，降低了成本，大大缩短了工艺时间，提高了效率。

公开(公告)号：CN107833858B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201710992119.5

申请日：2017-10-19

申请人： 华中科技大学

发明人： 李操 ,  费鹏 ,  刘胜

IPC分类号： H01L21/768 ,  C25D7/12

摘要： 本发明公开了一种硅通孔电镀的三步预浸润方法，包括：将种子铜层的硅通孔晶圆浸入并浸泡在浸润液中，当种子铜层的硅通孔晶圆完全被浸润时，得到初浸润晶圆；将初浸润晶圆浸入并浸泡在去离子水中，得到再浸润晶圆；将再浸润晶圆浸入并浸泡在电镀液中，此时电镀液中的溶质扩散至硅通孔内部，从而实现硅通孔的孔内部浸润。本发明可以实现高的多的深径比的硅通孔的浸润，而且不会导致种子层脱落等问题，降低了成本，大大缩短了工艺时间，提高了效率。