Invention Publication
- Patent Title: 一种耐电子束轰击的二次电子发射复合薄膜及其制备方法
- Patent Title (English): E-beam bombardment resistant secondary electron emission composite film and preparation method thereof
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Application No.: CN201711335941.0Application Date: 2017-12-14
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Publication No.: CN108085651APublication Date: 2018-05-29
- Inventor: 王金淑 , 王飞飞 , 周帆 , 刘伟 , 杨韵斐 , 赖陈 , 焦鹏 , 华亚周
- Applicant: 北京工业大学
- Applicant Address: 北京市朝阳区平乐园100号
- Assignee: 北京工业大学
- Current Assignee: 北京工业大学
- Current Assignee Address: 北京市朝阳区平乐园100号
- Agency: 北京思海天达知识产权代理有限公司
- Agent 张立改
- Main IPC: C23C14/35
- IPC: C23C14/35 ; C23C14/08 ; C23C14/02
Abstract:
一种耐电子束轰击的二次电子发射复合薄膜及其制备方法,属于功能薄膜材料制备技术领域。以高纯金属银为基底材料,一定原子比的镁铝合金作为溅射源物质,以一定流量的高纯氩氧混合气体作为工作和反应气体,在一定温度条件下,采用直流反应磁控溅射覆膜技术,通过调整溅射功率、沉积时间、气体流量比等参数,制备得到的MgO/Al2O3复合薄膜具有较高的二次电子发射系数和较好的耐电子束轰击性能。采用所述方法制备MgO/Al2O3复合薄膜功能材料具有膜厚可控、成分均匀、二次电子发射系数高和耐电子束轰击性能优异等优点。
Public/Granted literature
- CN108085651B 一种耐电子束轰击的二次电子发射复合薄膜及其制备方法 Public/Granted day:2020-09-25
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IPC分类: