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公开(公告)号：CN108085651B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201711335941.0
申请日：2017-12-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种耐电子束轰击的二次电子发射复合薄膜及其制备方法，属于功能薄膜材料制备技术领域。以高纯金属银为基底材料，一定原子比的镁铝合金作为溅射源物质，以一定流量的高纯氩氧混合气体作为工作和反应气体，在一定温度条件下，采用直流反应磁控溅射覆膜技术，通过调整溅射功率、沉积时间、气体流量比等参数，制备得到的MgO/Al2O3复合薄膜具有较高的二次电子发射系数和较好的耐电子束轰击性能。采用所述方法制备MgO/Al2O3复合薄膜功能材料具有膜厚可控、成分均匀、二次电子发射系数高和耐电子束轰击性能优异等优点。
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公开(公告)号：CN108149042A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711407530.8
申请日：2017-12-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高致密度钼材料的低温活化烧结制备方法，属于粉末冶金技术领域。按Mo-x％Ni(x＝0.1-1，质量分数)称取仲钼酸氨和六水硝酸镍，加入去离子水配制混合溶液作为前驱体溶液，采用喷雾干燥的方法制备前驱体粉末；将前驱体粉末在马弗炉中煅烧；通过管式炉进行两步氢还原；将还原后的粉末进行高能球磨，转速为350rpm+6rpm，球料比10:1，球磨5h，得到平均颗粒尺寸为190nm的粉末；将获得的粉末进行模压，采用高温钨网氢气炉在最高温度1400℃-1750℃下烧结60min；本发明所提供的制备方法烧结温度低、烧结时间短、高效节能、所得产物致密度高、晶粒尺寸较细小均匀、杂质少。
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公开(公告)号：CN108085651A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711335941.0
申请日：2017-12-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种耐电子束轰击的二次电子发射复合薄膜及其制备方法，属于功能薄膜材料制备技术领域。以高纯金属银为基底材料，一定原子比的镁铝合金作为溅射源物质，以一定流量的高纯氩氧混合气体作为工作和反应气体，在一定温度条件下，采用直流反应磁控溅射覆膜技术，通过调整溅射功率、沉积时间、气体流量比等参数，制备得到的MgO/Al2O3复合薄膜具有较高的二次电子发射系数和较好的耐电子束轰击性能。采用所述方法制备MgO/Al2O3复合薄膜功能材料具有膜厚可控、成分均匀、二次电子发射系数高和耐电子束轰击性能优异等优点。
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公开(公告)号：CN106745162B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201710100422.X
申请日：2017-02-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01F11/46
Abstract: 本发明提供了一种孔隙状半水石膏材料的制备方法，属于材料化学无机非金属材料制备技术领域。所述材料由下述方法制得：以乙酸钙和硫酸铵为原料，在氨水稀释水溶液体系中80.0‑150.0℃下反应6.0‑24.0小时，以去离子水为淋洗液室温洗涤，过滤，55.0‑85.0℃烘干得到一种孔隙状半水石膏材料。该方法合成路线简单，操作方便，生产周期短，产率较高，易实现工业化生产，并且所得的半水石膏材料表具有大量孔隙。
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公开(公告)号：CN106745162A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710100422.X
申请日：2017-02-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01F11/46
CPC classification number: C01F11/46 , C01P2002/30 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2004/03 , C01P2004/40 , C01P2006/17
Abstract: 本发明提供了一种孔隙状半水石膏材料的制备方法，属于材料化学无机非金属材料制备技术领域。所述材料由下述方法制得：以乙酸钙和硫酸铵为原料，在氨水稀释水溶液体系中80.0‑150.0℃下反应6.0‑24.0小时，以去离子水为淋洗液室温洗涤，过滤，55.0‑85.0℃烘干得到一种孔隙状半水石膏材料。该方法合成路线简单，操作方便，生产周期短，产率较高，易实现工业化生产，并且所得的半水石膏材料表具有大量孔隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106098501A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610534671.5
申请日：2016-07-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种Ag‑Mg‑Al合金次级发射阴极材料及其制备方法，属于电子发射阴极技术领域。以金属银充当基体，以Mg、Al金属元素充当活性物质，通过感应熔炼、冷轧、退火和磨抛光工艺制备得到Ag‑Mg‑Al合金薄片；之后将合金薄片在0.5～50.0Pa低压氧气气氛下进行热活化处理，得到厚度为80‑120nm的MgO‑Al2O3复合薄膜层。本发明的新型Ag‑Mg‑Al合金阴极具有次级发射系数大、耐电子轰击、性能稳定、制备工艺流程简单等优点，有望应用于光电倍增管、铯原子钟等领域。
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公开(公告)号：CN108149042B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201711407530.8
申请日：2017-12-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高致密度钼材料的低温活化烧结制备方法，属于粉末冶金技术领域。按Mo‑x％Ni(x＝0.1‑1，质量分数)称取仲钼酸氨和六水硝酸镍，加入去离子水配制混合溶液作为前驱体溶液，采用喷雾干燥的方法制备前驱体粉末；将前驱体粉末在马弗炉中煅烧；通过管式炉进行两步氢还原；将还原后的粉末进行高能球磨，转速为350rpm+6rpm，球料比10:1，球磨5h，得到平均颗粒尺寸为190nm的粉末；将获得的粉末进行模压，采用高温钨网氢气炉在最高温度1400℃‑1750℃下烧结60min；本发明所提供的制备方法烧结温度低、烧结时间短、高效节能、所得产物致密度高、晶粒尺寸较细小均匀、杂质少。
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公开(公告)号：CN106637116B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201611166493.1
申请日：2016-12-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开一种二次电子发射薄膜的简易制备方法，属于二次电子发射阴极材料的制备技术领域。以纯金属银/铝/钛作为基体，纯金属镁充当溅射源物质，以纯氩为工作气体，纯氧为反应气体，在对基体采用电阻加热的条件下，通过直流反应磁控溅射法，在银/铝/钛基体上制备得到MgO薄膜，次级发射系数δ高达4.88。采用所述方法制备MgO薄膜阴极具有制备工艺简单、膜厚可控、成分均匀、结晶性好、次级发射系数高、发射性能稳定且耐电子轰击等优点。有望应用于光电倍增管、铯原子钟、磁控管等领域。
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公开(公告)号：CN106637116A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611166493.1
申请日：2016-12-16
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/0089 , C23C14/081
Abstract: 本发明公开一种二次电子发射薄膜的简易制备方法，属于二次电子发射阴极材料的制备技术领域。以纯金属银/铝/钛作为基体，纯金属镁充当溅射源物质，以纯氩为工作气体，纯氧为反应气体，在对基体采用电阻加热的条件下，通过直流反应磁控溅射法，在银/铝/钛基体上制备得到MgO薄膜，次级发射系数δ高达4.88。采用所述方法制备MgO薄膜阴极具有制备工艺简单、膜厚可控、成分均匀、结晶性好、次级发射系数高、发射性能稳定且耐电子轰击等优点。有望应用于光电倍增管、铯原子钟、磁控管等领域。
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公开(公告)号：CN106098501B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201610534671.5
申请日：2016-07-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种Ag‑Mg‑Al合金次级发射阴极材料及其制备方法，属于电子发射阴极技术领域。以金属银充当基体，以Mg、Al金属元素充当活性物质，通过感应熔炼、冷轧、退火和磨抛光工艺制备得到Ag‑Mg‑Al合金薄片；之后将合金薄片在0.5～50.0Pa低压氧气气氛下进行热活化处理，得到厚度为80‑120nm的MgO‑Al2O3复合薄膜层。本发明的新型Ag‑Mg‑Al合金阴极具有次级发射系数大、耐电子轰击、性能稳定、制备工艺流程简单等优点，有望应用于光电倍增管、铯原子钟等领域。
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