一种耐电子束轰击的二次电子发射复合薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN108085651B

    公开(公告)日:2020-09-25

    申请号:CN201711335941.0

    申请日:2017-12-14

    Abstract: 一种耐电子束轰击的二次电子发射复合薄膜及其制备方法,属于功能薄膜材料制备技术领域。以高纯金属银为基底材料,一定原子比的镁铝合金作为溅射源物质,以一定流量的高纯氩氧混合气体作为工作和反应气体,在一定温度条件下,采用直流反应磁控溅射覆膜技术,通过调整溅射功率、沉积时间、气体流量比等参数,制备得到的MgO/Al2O3复合薄膜具有较高的二次电子发射系数和较好的耐电子束轰击性能。采用所述方法制备MgO/Al2O3复合薄膜功能材料具有膜厚可控、成分均匀、二次电子发射系数高和耐电子束轰击性能优异等优点。

    一种耐电子束轰击的二次电子发射复合薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN108085651A

    公开(公告)日:2018-05-29

    申请号:CN201711335941.0

    申请日:2017-12-14

    Abstract: 一种耐电子束轰击的二次电子发射复合薄膜及其制备方法,属于功能薄膜材料制备技术领域。以高纯金属银为基底材料,一定原子比的镁铝合金作为溅射源物质,以一定流量的高纯氩氧混合气体作为工作和反应气体,在一定温度条件下,采用直流反应磁控溅射覆膜技术,通过调整溅射功率、沉积时间、气体流量比等参数,制备得到的MgO/Al2O3复合薄膜具有较高的二次电子发射系数和较好的耐电子束轰击性能。采用所述方法制备MgO/Al2O3复合薄膜功能材料具有膜厚可控、成分均匀、二次电子发射系数高和耐电子束轰击性能优异等优点。

    一种精确测定二氧化钛纳米管阵列质量的方法

    公开(公告)号:CN106525953B

    公开(公告)日:2019-04-12

    申请号:CN201611109424.7

    申请日:2016-12-02

    Abstract: 一种精确测定二氧化钛纳米管阵列质量的方法,属于金属材料测量技术领域。钛基底预处理并称重得到质量a;预处理后的钛片在含有氟离子的有机溶液体系中进行阳极氧化得到二氧化钛纳米管,在300‑500℃进行热处理,保温1‑3h,然后随炉冷却至室温,样品取出后称重得到质量b;热处理后的ICP测定钛元素浓度,换算成阳极氧化过程结束后含有氟离子的有机溶液中钛元素的总质量c;根据公式:c+b‑a=d即可得到二氧化钛中氧元素质量d,进而计算出二氧化钛质量。本发明的技术方案重复性好,效果优异明显,准确度高。

    一种多孔氧化钛薄膜固载二硫化钼的方法

    公开(公告)号:CN106086990B

    公开(公告)日:2019-02-01

    申请号:CN201610633946.0

    申请日:2016-08-04

    Abstract: 一种多孔氧化钛薄膜固载二硫化钼的方法,属于金属材料表面改性技术领域。首先采用阳极氧化方法在金属钛表面原位组装二氧化钛多孔薄膜,然而利用磁控溅射技术将固体润滑剂引入到多孔氧化钛薄膜。钛表面的摩擦系数最低可到0.20,远低于纯钛的摩擦系数0.46;固体润滑剂沉积在多孔二氧化钛薄膜表面,可循环4305次,未含多孔二氧化钛薄膜循环15次润滑剂便脱落;本发明提供的多孔二氧化钛薄膜固载固体润滑剂的技术,可以大幅度降低金属钛表面的摩擦系数,为解决钛合金紧固件因粘结而造成的咬合提供了一条新的有效措施。

    一种ZrH2添加的Y2O3-W基次级发射体的制备方法

    公开(公告)号:CN108878234B

    公开(公告)日:2020-02-11

    申请号:CN201810615636.5

    申请日:2018-06-14

    Abstract: 一种ZrH2添加的Y2O3‑W基次级发射体的制备方法,属于阴极材料的制备技术领域。以制备得到的Y2O3均匀掺杂的钨粉和411铝酸盐为基础,制备出含有激活剂ZrH2添加的浸渍型稀土钨基次级阴极,并对其热发射性能和次级发射性能进行了测试。发现有激活剂ZrH2添加的稀土钨基次级阴极的热发射性能和次级发射性能最为优异,它的零场发射电流密度是无ZrH2添加稀土钨基次级阴极的3.1‑3.4倍,它的最大次级发射系数是无ZrH2添加稀土钨基次级阴极的1.2倍。采用所述方法制备激活剂ZrH2添加的Y2O3‑W基次级发射体,具有优异的热发射性能和次级发射性能,有望应用在大功率磁控管中。

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